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分段恒电位电化学沉积法制备CuInSe2吸收层

胡飞 , 叶澍 , 文思逸 , 胡跃辉

材料导报

采用分段恒电位电沉积法在FTO导电玻璃上制备了CuInSe2 (CIS)薄膜.通过线性电位扫描分析了阴极的电化学反应,并通过电化学沉积法制备了CIS薄膜.结果表明,恒电位电化学沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,增加溶液中铟离子的浓度,可以提高铟在镀层的含量,使薄膜更接近CIS化学计量比.而采用分段恒电位法沉积薄膜,可以抑制铜硒化合物的生长,使薄膜更接近于CIS化学计量比.

关键词: 线性电位扫描 , 铜铟硒薄膜 , 分段电沉积 , 恒电位电沉积

低In电解液电沉积制备CuInSe2吸收层

胡飞 , 陈镜昌 , 付梦乾 , 文思逸 , 胡跃辉

功能材料

通过线性电位扫描分析了低In电解液中的阴极电化学反应,结果表明柠檬酸钠可以降低Cu2+的活性,而H2SeO3的加入可导致阴极上Se元素与Cu+和In3+发生复杂的协同反应.低In电解液中恒电位沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,分段电位的恒电位沉积得到的薄膜更接近于CuInSe2(CIS)化学计量比.薄膜在N2气氛上退火处理,得到了黄铜矿结构CIS薄膜,禁带宽度为1.06eV.

关键词: 线性电位扫描 , 铜铟硒(CIS)薄膜 , 分段电沉积 , 柠檬酸钠

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