谢正生
,
吴惠桢
,
劳燕锋
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刘成
,
曹萌
稀有金属材料与工程
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征.结果表明,采用5 s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs DBR的质量优于30对,说明DBR对数越多,周期厚度波动越大,材料质量越差.优化生长得到的30对GaAs/AlAs DBR的反射率大于99%,中心波长为1316 nm,与理论设计结构的模拟结果基本一致,可用作1.3 μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)直接键合的反射腔镜.
关键词:
分布布拉格反射镜
,
气态源分子束外延
,
X射线衍射
,
反射谱
张冠杰
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舒永春
,
皮彪
,
姚江宏
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林耀望
,
舒强
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刘如彬
,
王占国
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.004
对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/AlAs反射镜的反射率曲线.利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料.该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器.
关键词:
分布布拉格反射镜
,
理论计算
,
优化生长
,
高反射率
