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InAs自组织量子点(线)的制备和表征

武光明 , 李月法 , 贾锐

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.05.008

在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析,认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件,停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[110]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点.讨论了量子点和量子线的形成机理.

关键词: 分子束外延生长 Stranski-krastanow模式 InAs自组织量子点(线) InAlAs覆盖层