李树玮
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小池一步
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矢野满明
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.01.051
用MBE设备以Stranski-Krastanov 生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点, 在生长过程中使用对形状尺寸控制法来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性. 样品外延的主要结构是 500 nm 的GaAs外延层, 15 nm的Al0.5Ga0.5As势垒外延层, 5个周期堆跺的InAs量子点, 50 nm的Al0.5Ga0.5As nm 势垒外延层等. 在生长过程中用反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监控. 生长后用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征, 再利用光制发光(PL)对InAs量子点进行观测.
关键词:
晶体生长
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垂直堆垛的InAs量子点
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分子束外延(MBE)
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光致发光
郝瑞亭
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郭杰
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刘颖
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缪彦美
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徐应强
人工晶体学报
利用分子束外延方法(MBE)在GaAs (001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,并对GaSb薄膜进行了高温退火研究,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性质和光学性质进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.研究发现30 s、650℃的快速热退火可消除位错等缺陷,显著提高GaSb薄膜的光学质量.
关键词:
GaSb
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热光伏电池
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分子束外延(MBE)
郝瑞亭
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申兰先
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邓书康
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杨培志
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涂洁磊
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廖华
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徐应强
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牛智川
功能材料
利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好.
关键词:
GaSb
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GaAs
,
分子束外延(MBE)
