董伟
,
王强
,
彭旭
,
谭毅
,
姜大川
,
李国斌
材料研究学报
采用电子束熔炼工艺提纯了冶金级硅材料.硅中重要杂质元素Al在制备铸锭中的分市小均匀,呈现出由底部到顶部、由边缘到中心的富集趋势.铸锭边缘部位的杂质Al含埴最低,已经低于ICP-AES的探测极限(1×10-5%).对杂质Al的挥发去除过程进行了理论分析.由Langmuir方程和Henry定律导出了杂质Al的去除率与熔体表面温度、熔炼时间的关系式,该关系式表明杂质Al的去除率会随着熔体表面温度升高、熔炼时间延长而增加,其理论计算值与实测结果符合的较好.
关键词:
无机非金属材料
,
硅
,
电子束熔炼
,
分凝
,
挥发
陈福义
,
介万奇
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.09.009
在连续生长模型(CGM)基础上,提出了三元合金溶质截留过程中的驱动自由能和界面温度的计算公式,模拟了AlCu-Zn合金单相凝固过程中的溶质截留和界面温度行为.在合金两个不同等深面上,界面移动速度增加时,固相线和液相线向同素异型相界To曲线靠近;随生长速度的增大,分凝系数急剧增加,在界面速度接近溶质扩散速度时,发生完全溶质截留现象,在速度比较低时的计算表明,合金的平衡分凝系数可在冷却速度小于7.1 K/s的凝固过程使用;固相成分一定时,界面温度随生长速度增加而上升,在溶质扩散速度vD处达到极值后界面温度下降;但液相成分一定时,界面温度随生长速度增加而下降.
关键词:
Al-Cu-Zn合金
,
溶质截留
,
分凝
,
界面动力学
曹虎
,
方必军
,
徐海清
,
罗豪甦
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.01.008
研究了用改进的Bridgman法生长的PMNT62/38单晶在其生长过程中的分凝现象,研究了分凝导致的成分不均匀及其对介电和压电性能的影响.XRFA分析表明,PMNT62/38单晶底部的PbTiO3(PT)含量为x=35.2mol%,而顶部的PT含量为43mol%.底部晶体(001),(110)和(111)三种切型的晶片加电场极化后,其介电和压电性能出现了异常的现象.(110)切型的压电模量最大,为1200pC/N;(111)次之,为789pC/N;(001)最低,为371pC/N.极化后的(110)和(111)晶片在室温、1kHz频率下的相对介电常数(两种切型的εr都在10000左右),约为(001)晶片(εr～5000)的1倍,并且介电常数在低温端有上升的趋势.
关键词:
PMN-PT单晶
,
分凝
,
切型
,
介电和压电性能
苏少坚
,
汪巍
,
胡炜玄
,
张广泽
,
薛春来
,
左玉华
,
成步文
,
王启明
材料导报
Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝.采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差.采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge1-xSnx合金,但是所用的Sn气体源难以获得.综述了Ge1-xSnx合金外延生长的研究进展.
关键词:
Ge1-xSnx合金
,
外延
,
分凝
介万奇
功能材料
在定量估算的基础上,明确了Hg1-xCdxTe晶体ACRT-B法生长过程轴向溶质再分配的简化条件,导出了计算公式.以HgTe-CdTe伪二元相图为基础进行的计算表明,按照远红外探测器要求的成分配料(x0＝0.22),仅在晶锭的某一部分可获得符合成分容差的晶体.而采用其它相近的成分配比也能获得符合成分要求的晶体.采用x0值更小的配料成分获得的满足成分要求的晶段更长,并且位于结晶质量较高的晶锭前段.
关键词:
HgCdTe
,
生长
,
分凝
陈福义
,
介万奇
金属学报
在连续生长模型(CGM)基础上,提出了三元合金溶质截留过程中的驱动自由能和界面温度的计算公式,模拟了Al-Cu-Zn 合金单相凝固过程中的溶质截留和界面温度行为.在合金两个不同等深面上,界面移动速度增加时,固相线和液相线向同素异型相界To 曲线靠近;随生长速度的增大,分凝系数急剧增加,在界面速度接近溶质扩散速度时,发生完全溶质截留现象,在速度比较低时的计算表明,合金的平衡分凝系数可在冷却速度小于7.1K/s的凝固过程使用;固相成分一定时,界面温度随生长速度增加而上升,在溶质扩散速度νD处达到极值后界面速度下降;但液相成分一定时,界面温度随生长速度增加而下降.
关键词:
Al-Cu-Zn
,
null
,
null
,
null
