陈达
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刘林杰
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薛忠营
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刘肃
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贾晓云
材料导报
利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理.分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性.结果表明,通过克服RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺杂控制困难等缺点,制备出高质量的SiGe薄膜.
关键词:
薄膜
,
减压化学气相沉积
,
硅锗
,
负载影响
梁仁荣
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王敬
,
徐阳
,
许军
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李志坚
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.01.012
应用减压化学气相沉积技术,在弛豫Si0.7Ge0.3层/组分渐变Si1-xGex层/Si衬底这一多层复合结构的基础上制作了应变硅材料,其中组分渐变Si1-xGex层Ge的摩尔分数x从O线性增加到0.2.对该复合结构的性能进行了表征,由原子力显微镜和Raman光谱测试结果计算出应变硅层的表面粗糙度和应变度分别为4.12 nm和1.2%,材料中的位错密度为4×104cm-2.经受了高热开销过程后,应变硅层的应变度及其表面形貌基本上保持不变.
关键词:
无机非金属材料
,
半导体材料
,
应变硅
,
减压化学气相沉积
,
锗硅虚拟衬底
,
多层复合结构
