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双掺杂TGS晶体--LUTGS

史伟 , 王民 , 孙洵 , 房昌水

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.04.005

分别在58～54℃和45～38℃温区生长了完整的LUTGS单晶.揭示了两种晶体的生长习性.通过对两种晶体电滞回线、介电、热释电性能的测量,发现两温区生长的LUTGS单晶的热释电材料优值M(P/ε)无大差异,但都比纯TGS有显著提高.

关键词: LUTGS晶体 , 内偏压电场 , 材料优值 , 热释电晶体