材料期刊网

共蒸发三步法制备CIGS薄膜的相变过程

刘芳芳 , 张力 , 何青

人工晶体学报

本文采用共蒸发三步法沉积Cu(In,Ga) Se2 (CIGS)薄膜,其中关于Cu化合物的相转变过程是制约吸收层质量的关键.本文详细研究了三步法工艺中吸收层由贫Cu薄膜向富Cu薄膜转变的相变过程,通过X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)及扫描电镜(SEM)结合的方法总结出三步法工艺的相变过程.

关键词: CIGS薄膜 , 共蒸发三步法 , 相变过程