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Hg掺杂CdS的制备及可见光降解有毒有机污染物

王攀 , 曹婷婷 , 方艳芬 , 罗光富 , 李瑞萍 , 黄应平

影像科学与光化学

采用镉硫共沉淀方法制备了Hg掺杂CdS(HgxCd1-xS)光催化剂,运用X射线衍射法(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电镜(TEM)和紫外-可见吸收光谱对所制备的催化剂进行了表征;利用可见光催化降解罗丹明B(Rhodiamine B,RhB)和2,4-二氯苯酚(2, 4-dichlorophenol,2,4-DCP)为探针反应,对HgxCd1-xS可见光催化活性进行了研究,通过跟踪RhB 降解过程中吸收光谱的变化和总有机碳(TOC),评价了HgxCd1-xS对有机物的氧化降解及深度矿化能力.结果表明:HgxCd1-xS催化剂为立方晶型,Hg的最佳掺杂量为5%,其禁带宽度约为2.15 eV,对RhB和2,4-DCP均有较好的降解效果,实验条件下30 min RhB褪色率为100%, RhB的30 h矿化率为45.5%, 2,4-DCP的16 h降解率达55%.HgxCd1-xS可见光光催化降解RhB具有较高的稳定性,Hg的掺杂能有效降低CdS光腐蚀问题.通过ESR跟踪测定光催化反应过程中产生的自由基,表明降解过程涉及* OH机理.

关键词: 共沉淀合成 , CdS , Hg掺杂 , 可见光催化降解

Ce0.8Sm0.2O1.9基纳米复合材料的共沉淀合成与氧离子导电性

张鸿 , 张哲 , 马国强 , 张宇星 , 李志成

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00353

用化学共沉淀法制备了Ce0.8Sm0.2O1.9-La9.33Si6O26纳米复合氧离子导电材料,通过X射线衍射和透射电子显微镜对合成材料的相结构进行了分析,利用交流阻抗分析测试研究了材料的离子导电性.结果表明,纳米复合材料的煅烧粉末的平均晶粒尺寸为20nm、烧结陶瓷体的平均晶粒尺寸为44nm;700℃时,纳米复合导电体的离子导电率为0.25Ω/cm;在整个测试温度范围内,纳米复合导电体比纯La9.33Si6O26提高了3个以上数量级,并高于纯相Ce0.8Sm0.2O1.9的导电性.

关键词: 纳米复合材料 , 共沉淀合成 , 氧离子导电性

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