赵丽伟
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刘彩池
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滕晓云
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朱军山
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郝秋艳
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孙世龙
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王海云
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徐岳生
,
胡家辉
,
冯玉春
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郭宝平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.019
本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相...
关键词:
GaN
,
湿法腐蚀
,
六角腐蚀坑
,
SEM
赵丽伟
,
滕晓云
,
郝秋艳
,
朱军山
,
张帷
,
刘彩池
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.01.009
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN.外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高.位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形...
关键词:
GaN
,
V缺陷
,
湿法化学腐蚀
,
六角腐蚀坑
