彭英才
,
傅广生
,
王英龙
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.039
本文首先评论了近5年来各类Si基纳米材料在光增益和受激光发射特性研究方面所取得的最新进展.进而指出,晶粒有序的小尺寸和高密度纳米晶Si(nc-Si),具有载流子三维量子受限的局域化纳米结构和具有高激活浓度Er掺杂的nc-Si:Er/SiO2纳米薄膜,将是实现Si基激光器的主要有源区材料.最后,对这一领域的今后发展趋势进行了初步展望.预计在今后的3～5年内,实现Si基激光器的探索性研究高潮即将到来,并极有可能获得重大突破性进展,即在进一步提高发光效率的基础上,实现稳定可靠的光增益和受激光发射特性.而后再用3～5年的时间,通过优化结构形式与工艺技术,研制出具有器件实用化水平的Si基激光器.
关键词:
nc-Si
,
局域化Si基纳米结构
,
光增益
,
受激光发射
,
Si基激光器
,
全Si光电子集成
彭英才
,
ZHAO X W
,
傅广生
,
王英龙
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.03.001
Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要,在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿.其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路.本文尝试性地评论了这一集Si材料技术、纳米技术、微电子技术以及光电子技术为一体的新型交叉学科,近年来在直接带隙Si基低维材料的设计、晶粒有序Si基纳米材料的制备与稳定高效Si基发光器件的探索等方面所取得的若干重要研究进展,并预测了全Si光电子集成技术的未来发展趋势.
关键词:
光电子学
,
直接带隙Si基低维材料
,
晶粒有序Si基纳米材料
,
稳定高效Si基发光器件
,
全Si光电子集成
