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李瑞贞 , 李多力 , 杜寰 , 海潮和 , 韩郑生
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.015
提出了一种简化的全耗尽SOI MOSFET阈值电压解析模型.该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算.通过在不同条件下将本文的模拟结果和MEDICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性.因此本模型对于器件物理特性的研究和工艺设计有很好的指导意义.
关键词: 全耗尽SOI MOSFET , 阈值电压 , 模型
