罗伟
,
桂强
,
郑威
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.007
采用提拉法,从Li/Nb变化(0.94,1.05,1.20,1.38)的熔体中生长出Mg:Sc:Fe:LiNbO3晶体.Li/Nb=1.05的晶体OH-振动吸收峰在3504cm-1处出现的主吸收峰,且在3466cm-1、3481m-1处有两附加峰.Li/Nb=1.38的晶体OH-振动吸收峰在3535cm-1处出现附加吸收峰.红外光谱结果表示Li/Nb=1.05的晶体是近化学剂量比的,且Sc掺质优先于Mg掺质达到阈值浓度.采用透射光斑畸变法测得Mg:Sc:Fe:LiNbO3晶体(Li/Nb=1.05)的抗光损伤能力为2.0×104W/cm2,比Fe:LiNbO3提高了三个数量级.采用波长为632.8nm的He-Ne激光器作为光源,通过二波耦合方法测试晶体全息存储性能.实验结果表明:随着Li/Nb的增加,晶体的写入时间缩短,晶体的衍射效率降低,光折变灵敏度增加,动态范围减少.在一系列晶体中,Mg:Sc:Fe:LiNbO3晶体(Li/Nb=1.05)更加适合作为全息存储介质.
关键词:
铌酸锂晶体
,
提拉法
,
全息存储性能
,
缺陷结构
刘彩霞
,
徐朝鹏
,
徐玉恒
功能材料
在SBN中掺进0.1%(质量分数)CeO2和0.1%(质量分数)Eu2O3,以Czochralski技术生长Ce:Eu:SBN晶体,在空气中退火24h,退火温度为1300℃.测试Ce:Eu:SBN晶体的住相共轭反射率和响应时间.Ce:Eu:SBN晶体最大位相共轭反射率(R=92%)和响应时间(38s),以Ce:Eu:SBN晶体作为存储元件和位相共轭镜(阈值,增益反馈系统)进行全息关联存储实验.系统具有实时处理、反复使用、成像质量好、信噪比高等优点.Ce:Eu:SBN晶体是比SBN晶体全息存储性能更好的晶体.
关键词:
Ce
,
Eu:SBN晶体
,
全息存储性能
,
位相共轭
