赵智彪
,
齐鸣
,
朱福英
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.007
对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究.由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响:较高缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为N-polar,较低缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为Ga-polar.
关键词:
GaN
,
分子束外延
,
原子力显微镜
,
光辅助湿法刻蚀
,
极性
