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用ECR氮等离子对纳米TiO2薄膜光谱响应改性的研究

孔令红 , 熊予莹 , 符斯列 , 陈俊芳 , 吴先球 , 唐吉玉

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.022

采用ECR氮等离子对纳米TiO2薄膜表面进行氮注入处理来改善纳米TiO2催化剂的光谱响应范围.处理后表面颜色变成微黄色,说明氮离子已注入到TiO2薄膜里;AFM观察处理前后的薄膜,发现表面形貌没有很大改变;紫外-可见光谱分析结果表明,TiO2薄膜催化剂的光谱响应红移了12-18nm;通过不同功率、不同处理时间研究显示,在微波功率为400W、处理60min改性效果最理想.

关键词: ECR氮等离子体 , 光谱响应 , TiO2薄膜 , 紫外-可见光谱分析 , AFM

SiGe∶H薄膜太阳能电池研究进展

柯少颖 , 王茺 , 杨宇

材料导报

针对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜太阳能电池在发展过程中所面临的问题,阐述了氢化硅锗(SiGe∶H)薄膜在太阳能电池制备方面的优越性及其最新研究进展,总结了提高SiGe∶H薄膜太阳能电池效率的几种方法,着重介绍了叠层太阳能电池内部运行机理,分析了影响叠层太阳能电池转换效率的因素,最后对SiGe∶H薄膜材料在太阳能电池领域的应用前景以及一些亟待解决的问题进行了展望.

关键词: SiGe∶H薄膜 , 太阳能电池 , 光谱响应 , 转换效率 , 叠层技术

氢微波等离子体对纳米TiO2薄膜光谱响应改性研究

余红华 , 熊予莹 , 陈俊芳 , 吴先球

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.06.037

采用氢微波等离子体对纳米TiO2薄膜催化剂进行改性处理来改善其光谱响应范围.AFM观察表明未经烧结的TiO2薄膜表面形貌发生较大变化,经过500℃1h热处理过的样品表面形貌变化不大,但处理后样品表面颜色变为淡灰色,并随着气压和功率增大而变深;紫外-可见光谱分析表明,纳米TiO2薄膜催化剂的光谱响应曲线发生了12～25 nm红移;XPS定量分析证实,改性处理后部分TiO2被还原为低价钛氧化物,同时在TiO2薄膜的表面产生了氧空位,从而使样品的吸收边红移,可见光吸收增加.通过不同气压、功率、时间研究显示,在气压/微波功率/时间为16Torr/400W/5min条件下改性效果较理想.

关键词: 氢微波等离子 , 纳米TiO2薄膜 , 光谱响应 , 紫外-可见分析 , XPS

表面敏化改性纳米晶TiO2的光谱响应特性研究及其应用进展

李明 , 方亚男 , 洪樟连 , 陈胡星

材料导报

介绍了各类敏化剂对纳米晶TiO2的敏化作用机制,并从能带匹配角度分析了敏化剂选择的原则,综述了近期国内外敏化改性纳米晶TiO2在拓宽光谱响应范围、提高TiO2光谱响应性能的研究成果,简要概述了敏化TiO2在太阳能电池、环境净化、光解水制备氢等方面的应用,最后对敏化法改性TiO2的研究方向与材料应用前景进行了探讨.

关键词: 二氧化钛 , 纳米晶 , 光谱响应 , 敏化剂 , 可见光

Au/4H-SiC肖特基UV光电二极管的温度特性

梁锦 , 谢家纯 , 黄莉敏 , 孙腾达

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.06.020

采用微电子平面工艺,高真空电子束蒸发金属Au做肖特基接触,多层金属Ni、Ti、Ag合金在背底上做欧姆接触,制作出Au/n-4H-SiC肖特基势垒紫外光电二极管(UV-SBD).测试并分析了在不同温度下该器件的I-V特性及光谱响应特性.实验表明:器件高温下有较低的反向漏电流,正向开启电压下降速度为-1.2 mV/℃;波长响应范围为200～400 nm,在23℃和260℃时,光谱响应峰值分别出现在320 nm和330 nm,每100℃波长红移约4 nm;响应灵敏度随温度升高而降低,平均每100℃降低2倍.

关键词: 光电子学 , 碳化硅 , 光电二极管 , 肖特基势垒 , 光谱响应 , 温度

4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟

钟林瑛 , 洪荣墩 , 林伯金 , 蔡加法 , 陈厦平 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.017

应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构.分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26 μm,掺杂浓度为9.0×1017 cm-3.模拟分析了该APD的反向IV特性、光增益、不同偏压下的光谱响应和探测率等,结果显示该APD在较低的击穿电压-66.4 V下可获得较高的倍增因子105；在0V偏压下峰值响应波长(250 nm)处的响应度为0.11A/W,相应的量子效率为58％；临近击穿电压时,紫外可见比仍可达1.5×103；其归一化探测率最大可达1.5×1016 cmHz1/2W-1.结果显示该APD具有较好的紫外探测性能.

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , APD , 光谱响应 , 探测率

新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应

李果华 , 孙艳宁 , 严辉 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.034

为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池.本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50%的内量子效率,在253nm也有较好的响应.有望获得高效率的应用于AM0条件的InP太阳电池.此外,实验结果还表明该设计可以应用于短波光探测器.

关键词: 磷化铟薄膜太阳电池 , 漂移机制 , 光谱响应

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