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a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响

王青 , 阴生毅 , 胡跃辉 , 朱秀红 , 荣延栋 , 周怀恩 , 陈光华

功能材料

采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.

关键词: 氢化非晶硅 , 氢含量 , 光敏性 , 光致衰退

热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究

荣延栋 , 阴生毅 , 胡跃辉 , 吴越颖 , 朱秀红 , 周怀恩 , 张文理 , 邓金祥 , 陈光华

功能材料

采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.

关键词: 非晶硅 , 红外 , 光致衰退

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