薛亮
,
李怀祥
,
于磊
,
胡明波
,
陈姗姗
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.096
n型单晶硅经光电化学阳极刻蚀成多孔硅.研究了多孔硅经硝酸银(AgNO3)水溶液浸泡前后样品的光致发光(PL)性质,实验发现,浸泡很短时间内多孔硅发光强度增强,浸泡时间较长的样品发光强度会衰减直至猝灭,且浸泡液浓度越大荧光衰减越明显.通过扫描电子显微镜(SEM),傅立叶红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)的检测显示,AgNO3水溶液浸泡的多孔硅样品表面有金属银析出.光致发光增强是多孔硅表面形成Si-O结构所致,荧光猝灭是因为银在多孔硅表面形成大量非辐射复合中心.
关键词:
多孔硅
,
光致荧光
,
自组装
,
银纳米岛
何为
,
郝智彪
,
任在元
,
罗毅
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.036
利用新型全固源分子束外延技术,对1.55 μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料的生长进行了研究.在InAsP阱和InGaP垒之间插入InP中间层以减小阱和垒之间较大的剪切力.通过对生长材料的X射线衍射摇摆曲线和室温光致荧光光谱的比较,优化生长参数,获得了高质量的InAsP/InP/InGaP/InP应变补偿多量子阱结构,阱、垒、中间层的厚度分别为7.1,6.0,1.9 nm的7个周期的应变补偿多量子阱材料室温光荧光谱半高全宽为18.2 meV,是当前文献报道的1.55 μm 波段的InAsP多量子阱材料的最好结果之一.
关键词:
固源分子束外延
,
应变补偿多量子阱
,
X射线衍射
,
光致荧光
张鹏
,
张晓凡
,
朱建锋
人工晶体学报
以柠檬酸为络合物及助燃剂,使用简单的凝胶燃烧法,通过调整B2O3用量,制备出了不同含量Eu3+掺杂的Sr3 Y2( BO3)4基红光荧光粉.对所得样品进行了X射线衍射分析(XRD)、差热分析(DTA),扫描电镜分析(SEM)及荧光光谱分析(FDS).分析结果显示,样品的烧结温度比固相法降低了100℃,且其粉体的分散性和颗粒度都得到了改善,并且得到Eu3+最佳的掺杂浓度为12mol％.
关键词:
Sr3 Y2( BO3)4∶Eu
,
荧光粉
,
溶胶凝胶燃烧法
,
光致荧光
黄伟其
,
秦朝建
,
许丽
,
吴克跃
材料科学与工程学报
由Si-H键钝化的多孔硅的光致荧光(PL)发光频移遵循量子受限效应,随着纳米结构尺寸的变小PL发光频率从红外蓝移到紫外.多孔硅被氧化后,PL发光带的中心波长被钉扎在700nm～750nm范围,且强度明显增加.计算表明,氧化后的Si=O键或Si-O-Si键能在展宽的导带下方形成电子陷阱态.由此提出量子受限与氧化陷阱态模型可以很好地解释PL发光的钉扎和增强效应.该模型中的电子陷阱态扮演了重要的角色.
关键词:
光致荧光
,
多孔硅氧化
,
钉扎和增强效应
,
电子陷阱态
刘国梁
,
姚江宏
,
许京军
,
王占国
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.01.020
多模量子点阵列的光致荧光(PL)光谱的温度依赖性研究对于实现高效的量子点光电器件有着非常重要的意义.利用速率方程模型模拟不同密度量子点阵列中的载流子动力学过程.研究表明,高密度量子点阵列中不同尺寸量子点族的PL强度表现不同的温度依赖关系;而低密度量子点阵列不同点族PL强度均随温度衰减.高密度量子点阵列中,载流子被热激发到浸润层后,部分地被大量子点再俘获,即在量子点族间转移;低密度量子点阵列中不同量子点族间的载流子转移受到限制.不同量子点族光致荧光强度比的最大值强烈地依赖于量子点的激活能差.
关键词:
光电子学
,
光致荧光
,
速率方程
,
多模量子点阵列
,
热激发
