许鸿彬
,
刘文
,
张勇
,
吕文中
人工晶体学报
采用磁控溅射法,以Al/Er合金为靶材,在Si衬底上制备出AlN: Er薄膜.XRD分析结果表明样品为非晶态.XPS分析结果表明,制备的AlN具有良好的化学计量比,Er的含量为1 at%左右,氧很难避免,含量约为10%.光致发光光谱的测试表明,样品的PL光谱呈现宽谱之上叠加尖峰谱的特征,其中,尖荧光峰谱源于Er~(3+)的4f轨道直接激发跃迁,而宽谱则与Er~(3+)的4f轨道的间接激发跃迁和O杂质有关.
关键词:
磁控溅射
,
掺铒氮化铝
,
X射线光电子能谱
,
光致发光光谱
李光平
,
汝琼娜
,
李静
,
何秀坤
,
王寿寅
,
陈祖祥
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.017
研究了扫描光致发光光谱(PL mapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用,实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选优质的SI-GaAS材料时,除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性、晶片表面质量外,PL mapping 也是表征材料质量的一个重要参数.
关键词:
光致发光光谱
,
砷化镓材料
,
表征材料
,
器件
王爱华
,
张兵临
,
秦玉华
,
高知丰
,
周秋霞
,
姚宁
材料导报
采用阴极电沉积法,以Zn(NO3)2水溶液为电解液,在透明导电玻璃ITO衬底上制备了ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了ZnO薄膜的微纳结构和表面形貌.用Fluoromax-P型荧光光谱仪测量了样品的室温光致发光光谱,观察到550hm处的黄绿光发射峰,认为与样品中由导带到氧填隙引起的浅受主能级的电子跃迁有关.对样品进行500℃真空退火,研究了退火前后薄膜的结构及导电性能的变化.结果表明,退火处理使薄膜的均匀性和结晶质量得到改善,导电性明显增强.此外,还观察了薄膜的阴极射线发光.
关键词:
电沉积
,
ZnO薄膜
,
退火处理
,
光致发光光谱
武光明
,
朱江
,
李月法
,
贾锐
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.06.002
在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质.结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构,分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的.
关键词:
材料科学基础学科
,
InAs自组织量子点(线)
,
光致发光光谱
,
浸润层
杨丰桕
,
陆梦晨
,
张欣
,
张延
,
王连军
,
江莞
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140624
本研究采用简单的水热法得到了单一形态学和小尺寸分布的油溶性PbSe量子点。所得到的立方相PbSe量子点颗粒呈现近球形，且平均颗粒尺寸为4.0±0.5 nm。PbSe量子点在435 nm近紫外区域呈现出较强的和相对较窄的光致发光光谱，光谱的半高宽值约为80 nm。随着反应时间的延长和反应温度的升高，发光光谱向低能量区域移动，谱峰的半高宽也随之变大。在改变前驱体Pb/S摩尔比的条件下，发光光谱相对强度降低，光谱也发生向长波长区域移动。另外，随着反应温度和前驱体Pb/S摩尔比的改变， PbSe量子点颗粒表面的缺陷也增多。在反应过程中，小颗粒长大成大尺寸颗粒促使 PbSe 量子点的发光光谱向长波长移动，这个现象符合奥斯瓦尔德熟化定律。热力学不稳定和颗粒表面低浓度油酸包覆也造成PbSe量子点颗粒表面产生缺陷。
关键词:
水热法
,
PbSe量子点
,
半导体
,
光致发光光谱
