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量子阱态光电子谱研究的理论模型

王得勇 , 刘杰 , 贾金锋 , 刘洪 , 薛其坤

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.04.028

近年来,光电子谱被广泛应用于薄膜中量子阱态的研究.为解释薄膜中分立的量子阱态和薄膜的光电子谱间的关系,发展了一些理论模型.介绍了近自由电子模型、相位积累模型和电子干涉模型等关于薄膜中量子阱态的理论模型,并用它们解释了量子阱态在光电子谱中峰位和线宽.线宽由准粒子寿命的倒数Г以及电子在表面和界面反射系数的和R决定,电子波矢К以及电子在表面和界面相位移之和Ф决定了峰的位置.

关键词: 光电子学 , 量子阱态 , 近自由电子模型 , 相位积累模型 , 电子干涉模型 , 光电子谱

从光电子谱的峰背比及背景信号变化获得成分深度分布信息

季振国 , 朱玲

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.04.003

光电子谱中的背景信号包含样品的信息,但过去往往被忽略.通过对背景信号简单的分析,可以获得成分随深度变化的信息.本文介绍了如何利用光电子谱的背景信号获得元素在深度方向的分布情况.本文所述方法可以用于纳米镶嵌结构、包裹物、表面偏析、氧化、钝化等体系的非破坏性深度剖析研究.

关键词: 光电子谱 , 背景信号 , 深度剖析

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