张荣香
,
赵晓辉
,
赖伟东
,
代秀红
,
张继县
,
李晓苇
人工晶体学报
利用微波吸收介电谱检测技术测得了不同染料吸附量条件下立方体氯化银微晶的光电子衰减曲线,发现随着染料吸附量的增多,光电子的衰减速率变快,且不是一个单凋变化过程.光电子衰减的微观动力学分析表明,染料吸附存在着聚集体吸附和单分子态吸附两种情形,聚集体吸附使得微晶中的填隙银离子增多,从而增加了微晶外部的深电子陷阱,使光电子衰减变快;染料单分子态的吸附起修饰微晶表面能级的作用,从而减少了微晶外部的深电子陷阱,使光电子衰减变慢.
关键词:
电子陷阱
,
染料吸附
,
氯化银微晶
,
光电子
,
结构
袁桃利
,
王秀峰
,
牟强
材料导报
负电子亲和势材料具有较窄的禁带宽度、功函数低,在OLED的工作电场强范围内可以发射电子,同时在吸收有机材料所发光子能量后可以产生光电子发射,再次注入有机层,提高了电子注入效率.介绍了负电子亲和势材料的形成,理论上分析了其对有机半导体能级的影响以及如何改善有机电致发光器件中电子注入水平,从而提高发光效率.
关键词:
负电子亲和势
,
功函数
,
发光效率
,
光电子
徐光年
,
乔学亮
,
邱小林
,
陈建国
稀有金属材料与工程
通过紫外光照射[Ag(NH3)2]+溶液激发光电子还原Ag+为单质银,不添加任何还原剂,在PVP的保护下形成纳米银溶胶.UV-Vis吸收光谱测试表明,胶态的纳米银粒子的吸光度随紫外照射时间的延长而增加,但最大吸收波长不变,当照射时间达12 h时,吸光度值趋于稳定.TEM观测结果表明,纳米银粒子的形状为球形、单分散、粒径5 nm左右.抗菌性能测试表明,当纳米银粒子浓度为5μg/mL时,对大肠杆菌的杀灭率达100%.
关键词:
银氨络离子
,
光电子
,
还原
,
纳米银
,
抗菌
董国义
,
窦军红
,
张蕾
,
韦志仁
,
葛世艳
,
郑一博
,
林琳
,
田少华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.026
本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程.发现制备过程中Mn2+、Cu1、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响.光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果.本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用.
关键词:
ZnS
,
微波介电谱
,
热释光
,
光电子
李晓苇
,
张荣香
,
杨少鹏
,
人工晶体学报
本工作利用微波吸收介电谱技术检测了硫增感立方体氯化银微晶光电子的衰减时间谱,并根据实验结果建立了硫增感氯化银微晶的动力学模型,通过计算机求解由此模型得到的光电子衰减动力学方程,得到了不同增感时间下电子陷阱的浓度和深度,发现随增感时间的增加,电子陷阱的深度保持不变(0.201eV),而陷阱的浓度发生了变化,即在增感时间为75 min时电子陷阱的浓度为7.5×10-6;在增感时间为60 min时电子陷阱的浓度为3×10-6,这些结论对于其它晶体特性的研究具有参考价值.
关键词:
衰减动力学
,
氯化银微晶
,
光电子
,
电子陷阱
李晓苇
,
刘荣鹃
,
江晓利
,
陆晓东
,
赖伟东
,
杨少鹏
,
傅广生
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.020
利用微波吸收相敏检测技术并结合短脉冲激光曝光,测量了硫增感条件下AgBrCl立方体微晶感光材料的光电子时间衰减谱.分析了光电子一级衰减区域与增感温度的关系,确定了硫增感的陷阱效应对光电子衰减时间和光电子不同一级衰减区域的影响,并获得了增感过程中生成浅电子陷阱效果的最佳增感条件.
关键词:
卤化银微晶
,
硫增感
,
光电子
,
电子陷阱
,
光学微波双共振技术
刘志强
,
李新政
,
杨少鹏
,
董国义
,
李晓苇
,
韩理
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.007
本文采用微波吸收相敏检测技术,得到了卤化银微晶的自由光电子与浅束缚光电子的产生与衰减曲线,对比光电子产生量与激发光强之间的关系,验证了Gurney-Mott理论的光吸收过程,分析了不同类型卤化银材料中光电子的衰减特性,讨论了卤化银微晶中光电子行为对其感光性能的影响.
关键词:
卤化银微晶
,
微波吸收
,
相敏检测技术
,
光电子
戴明金
,
高峰
,
杨慧慧
,
胡云霞
,
胡平安
材料科学与工艺
doi:10.11951/j.issn.1005-0299.20170084
石墨烯和类石墨烯二维半导体材料因其独特的物理化学性质受到研究人员的广泛关注,将二者结合组成的石墨烯基二维垂直异质结近年来备受研究者的青睐.本文简要介绍了石墨烯基二维垂直异质结的基本概念和性质,综述了石墨烯基二维垂直异质结制备技术的最新进展情况,对比分析了不同制备方法各自的优缺点,总结了石墨烯基二维垂直异质结在光电子学器件应用的最新进展.最后对石墨烯基二维垂直异质结的研究和发展方向做了展望.
关键词:
石墨烯
,
二维材料
,
异质结
,
光电子
牛俊杰
,
沙健
,
马向阳
,
张辉
,
杨青
,
杨德仁
材料导报
近年来,纳米半导体材料特别是纳米硅在光电子领域中的研究已经越来越引起人们的注意.由于纳米半导体材料的量子限域效应、尺寸效应等影响使得它们在光电转移、电子器件等方面有着优异的性能,必将在未来的微电子以及纳米电子发展中发挥令人鼓舞的作用.详细介绍了纳米半导体材料在光电子领域中的发展历史,研究情况以及存在的问题等.
关键词:
纳米
,
光电子
,
纳米硅
