梁锦
,
谢家纯
,
黄莉敏
,
孙腾达
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.06.020
采用微电子平面工艺,高真空电子束蒸发金属Au做肖特基接触,多层金属Ni、Ti、Ag合金在背底上做欧姆接触,制作出Au/n-4H-SiC肖特基势垒紫外光电二极管(UV-SBD).测试并分析了在不同温度下该器件的I-V特性及光谱响应特性.实验表明:器件高温下有较低的反向漏电流,正向开启电压下降速度为-1.2 mV/℃;波长响应范围为200～400 nm,在23℃和260℃时,光谱响应峰值分别出现在320 nm和330 nm,每100℃波长红移约4 nm;响应灵敏度随温度升高而降低,平均每100℃降低2倍.
关键词:
光电子学
,
碳化硅
,
光电二极管
,
肖特基势垒
,
光谱响应
,
温度
