彭晓
,
王福会
,
D.R.Clarke
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.10.010
用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层经1000,1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力,获得如下结果:(1)残余应力随氧化温度升高而增大;(2)暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域;(3)两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大,但在1100和1200℃下,含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高.对实验结果进行了分析.
关键词:
光激发荧光谱术,Al2O3,残余应力,磁控溅射Co Cr Al(Y),纳米涂层
