彭晓
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王福会
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D.R.Clarke
金属学报
用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层经1000, 1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力, 获得如下结果: (1) 残余应力随氧化温度升高而增大; (2) 暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域; (3) 两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大, 但在1100℃和1200℃下, 含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高. 对实验结果进行了分析.
关键词:
光激发荧光谱术
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null
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null
彭晓
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王福会
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D.R.
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Clarke
金属学报
磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层在1000, 1100和1200℃氧化一定时间后, 用光激发荧光谱技术表征热生长的Al2O3相. 发现氧化层局部区域存在由非稳态相向稳态相的转变, 即: γ→θ→α; 其转变过程随温度升高显著加快, 并在1200℃下变昨不明显. 在相同温度下, Y明显减缓Al2O3相转变过程.
关键词:
光激发荧光谱术
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null
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null
