张金平
,
刘峰
,
郭庆林
,
钦明亮
,
梁宝来
,
李盼来
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.022
本文在非同时读出条件下,采用实时数据采集系统,实验研究了e偏振光写入Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程,发现不同的写入光强比和写入总光强对晶体中两波耦合过程产生明显的影响;当He-Ne 632.8nm激光通过Ce∶KNSBN晶体时,光扇效应存在明显的写入光强阈值特性,其阈值约为20mW/cm2.依据实验结果对考虑光扇影响的耦合波方程进行了修正,其数值计算与实验结果基本符合.
关键词:
Ce∶KNSBN晶体
,
光折变
,
两波耦合
,
动态特性
,
阈值
郭庆林
,
李彦
,
李盼来
,
邓桂英
,
怀素芳
,
李旭
人工晶体学报
本文采用非同时读出条件下两波耦合实验装置,以532 nm的单频固体激光器为光源,在不同写入光夹角θ、抽运光的偏振方向与e偏振光的方向呈10°、信号光为e偏振光及不同信号光与抽运光光强比条件下,通过改变写入光在Ce: KNSBN晶体内的不同位置研究其对两波耦合有效增益的影响.研究结果表明,在相同角度下写入光强比为1: 10,写入光在晶体内位置d=0.1 cm时最佳,有效增益达到最大.在最佳写入光位置,写入光强比为1: 10时,在写入光夹角为24°时两波耦合有效增益为最大.并对实验结果进行了理论拟合与分析.
关键词:
光折变
,
写入光
,
耦合位置
,
Ce:KNSBN晶体
,
有效增益
孙军
,
张玲
,
孔勇发
,
乔海军
,
刘士国
,
黄自恒
,
陈绍林
,
李剑韬
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.002
我们生长了掺镁量分别为3.0mol%、5.0mol%、7.8mol%、9.0mol%的76mm高掺镁铌酸锂晶体,检测了这些晶体的生长条纹情况,并利用双光耦合配置测试了这些晶体在351nm紫外光下的光折变性能.从实验结果看,采用同成分共熔点铌锂配比的高掺镁铌酸锂晶体生长条纹比较多;虽然高掺镁铌酸锂晶体在可见光波段有很好的抗光折变能力,但是在紫外光下具有良好的光折变性能,可以作为优良的紫外光折变材料使用.同时,实验结果表明,掺镁量在5.0mol%的铌酸锂晶体具有最佳的紫外光折变性能.
关键词:
铌酸锂
,
掺镁
,
晶体生长
,
紫外
,
光折变
崔元靖
,
王民权
,
钱国栋
材料导报
光折变材料研究是当今非线性光学学科的一个重要领域和研究热点.概述了光折变材料的特性及其应用;比较、综述了无机晶体,聚合物和无机有机复合等三类光折变材料的性能、研究进展以及面临的主要问题和发展趋向;评述和展望了近年来出现的无机有机复合光折变材料的研究意义、潜在优势和发展前景.
关键词:
光折变
,
无机晶体
,
聚合物
,
无机-有机复合
田甜
,
孔勇发
,
刘士国
,
李威
,
武莉
,
陈绍林
,
许京军
人工晶体学报
生长了掺入不同浓度六价钼元素的铌酸锂晶体(LN∶Mo),并研究了它们在351 nm、488 nm、532 nm和671 nm处的光折变性能.实验结果表明0.5mol%为最佳掺杂量,此时LN∶Mo在各波段具有最快的响应速度和较好的饱和衍射效率.增加极化电流可以提高光折变性能,尤其当极化电流为145 mA时,掺杂量为0.5mol%的LN∶Mo晶体紫外光折变响应时间缩短至0.35 s.这些优异的全息存储性能归因于Mo6+占据了正常的Nb位.LN∶Mo晶体是实现全色全息存储的潜力材料.
关键词:
铌酸锂晶体
,
光折变
,
极化电流
孔勇发
,
许京军
,
李冠告
,
黄自恒
,
陈绍林
,
李兵
,
陈云琳
,
张玲
,
刘士国
,
阎文博
,
刘宏德
,
王岩
,
孙骞
,
张心正
,
张国权
,
黄晖
,
张万林
,
张光寅
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.019
我们生长与后处理了一系列双掺铌酸锂晶体,通过光折变存储性能的测试,在这些晶体中,我们发现了三种双掺晶体:LN:Fe,Mg;LN∶Fe,In;LN∶Fe,Zn,它们具有优良的光折变存储性能,即高衍射效率(高达60~80%)、快光折变响应(比LN∶Fe 晶体缩短了一个数量级)、和强抗光散射能力(比LN∶Fe提高近两个数量级).我们还系统地研究了光强阈值效应与全息写入的关系以及全息写入与入射光强的关系,发现在光强阈值附近耦合强度有一最大值,从而提出了最佳写入光强的概念.另外,全息光栅热固定研究还显示,双掺铌酸锂晶体比单掺Fe的铌酸锂晶体具有更优良的热固定性质:快固定时间、高固定效率、长固定寿命等.
关键词:
铌酸锂
,
光折变
,
光存储
孔勇发
,
许京军
,
刘宏德
,
王岩
,
阎文博
,
谢翔
,
黄自恒
,
陈绍林
,
张光寅
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.026
应用气相传输平衡技术,我们获得了3种近化学计量比掺镁铌酸锂晶体,晶体的掺镁量接近我们以前提出的第二阈值.在我们实验室所能达到的最大光强26 MW/cm2照射下,在所有近化学计量比掺镁铌酸锂晶片中没有观察到光斑畸变,该光强比同成分铌酸锂晶体所能承受的光强高6个量级,为目前已报道的铌酸锂晶体之最.应用双光束全息写入法测得掺1.0 mol% Mg近化学计量比铌酸锂晶体的光折变饱和值仅有4.6×10-7,比同成分铌酸锂晶体小两个量级,从已有实验数据推测,该晶体的抗光折变能力应当比同成分铌酸锂晶体高9个量级以上.
关键词:
铌酸锂
,
近化学计量比
,
光折变