崔洪梅
,
滕祥红
,
钱纁
,
肖红涛
,
张旭
人工晶体学报
对利用化学气相沉积(CVD)制备的ZnS/ZnSe复合材料进行了显微结构和光学性质的测试和分析.研究表明,热等静压过程使得CVD ZnS/ZnSe晶体内部晶粒尺寸明显增大,减少或消除了内部缺陷,提高了材料的光学透过率.
关键词:
化学气相沉积
,
ZnS/ZnSe复合材料
,
热等静压
,
光学透过率
张新安
,
张景文
,
张伟风
,
王东
,
毕臻
,
张杰
,
侯洵
功能材料
采用光刻剥离工艺和射频磁控溅射法分别在(100)硅片和ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟道层的底栅式薄膜晶体管(ZnO-TFT).用X射线衍射仪、原子力显微镜对生长在绝缘层上的ZnO薄膜进行了表征.在硅衬底ZnO-TFT中,热氧化生长的二氧化硅薄膜作为绝缘层,金属铝用作源漏电极,该器件工作在N沟道增强模式,其阈值电压为8V,电流开关比为5×103,电子的场迁移率达到0.61cm2/(V·s).在以ITO玻璃为衬底的透明ZnO-TFT中,分别采用了SiO2、Al2O3、SiNx、PbTiO3薄膜作为绝缘层,实验表明生长在不同绝缘层上的ZnO薄膜都有很高的c轴择优取向,透明ZnO-TFT在可见光波段的平均透过率达到85%.
关键词:
ZnO 薄膜
,
薄膜晶体管
,
绝缘层
,
光学透过率
钱纁
,
滕祥红
,
肖红涛
,
崔洪梅
硅酸盐通报
对经热等静压(HIP)处理前后的S模式CVDZnS进行了光学和力学测试和分析.研究表明,热等静压过程使得CVDZnS的光学性能,特别是可见光及近红外波段的透过率有了很大提高,同时减少了材料内部缺陷,但材料力学性能有所降低.
关键词:
S模式CVDZnS
,
热等静压
,
光学透过率
,
力学性能
宋睿丰
,
余怀之
,
霍承松
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.039
采用红外、紫外光谱仪对热等静压(HIP)处理前后CVDZnS的光学透过率进行了测量,采用分析电子显微镜、金相显微镜和X射线衍射对原生CVDZnS和经热等静压(HIP)处理的CVDZnS的显微组织和晶体结构进行了分析.根据热等静压(HIP)处理前后CVDZnS光学透过率和材料内部显微结构的不同分析了热等静压过程造成CVDZnS光学性能提高的原因.研究表明:热等静压过程使得CVDZnS的晶粒尺寸有了很大提高,并且消除了原生CVDZnS在生长过程中形成的晶体缺陷,从而减小了原生CVDZnS中由于晶格缺陷和晶粒边界造成的散射损失,使得CVDZnS的光学透过率,尤其是在可见光及近红外波段,有了较大的提高.
关键词:
CVDZnS
,
热等静压
,
光学透过率
,
X射线衍射
黄存兵
,
魏春兰
硅酸盐通报
本文报道了以MgO·nAl2O3超细粉体为原料,采用真空烧结和热等静压结合的两步烧结技术制备了4种不同化学配比的镁铝尖晶石透明陶瓷,并对其红外和可见波段光学通过率进行了测试分析.结果表明:n=1.3和1.5的非配比透明陶瓷在紫外-可见波段和红外波段与化学配比透明陶瓷一样具有较高的光学透过率,而n=1.8的陶瓷的透过率则有较大程度的下降.
关键词:
MgO·nAl2O3
,
透明陶瓷
,
光学透过率
