Yuying HAO
,
Bingshe XU
,
Zhixiang GAO
,
Hua WANG
,
Hefeng ZHOU
,
Xuguang LIU
材料科学技术（英文）
A new electroluminescent material, salicylaldehyde anil zinc (SAZ) was synthesized, which can form high quality, thermal stability, nano-scale amorphous films by vacuum evaporation. Its structure, thermal stability were characterized by infrared (IR) spectra, differential thermal analysis-thermogravimetry (DTA-TG) analysis, respectively. The optical properties of SAZ were investigated by UV absorption spectra, Photoluminescence (PL) excitation and emission spectra. The highest occupied molecular orbits (HOMO), lowest unoccupied molecular orbits (LUMO) and optical band gap were evaluated by cyclic voltammetry curve and optical absorption band edge. The electroluminescent devices using SAZ as the emissive layer emit green light with a peak wavelength at 509 nm and a brightness of about 3.1 cd/m2.
关键词:
Salicylaldehyde anil zinc
,
光学性质
,
电子能级结构
董守安
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2008.03.011
目前在金科学技术的诸多方面,各向异性的金纳米粒子,尤其是一维金纳米结构材料成为科学界关注的焦点,因为这些材料具有比球形金粒子更为奇异的光学和电学性质.这些性质导致它们在光电子器件和生物医学等领域中巨大的应用潜力是能够预见的.为此,作者介绍了关于一维金纳米结构材料的光学性质、合成和组装最近的研究进展,其中包括金纳米棒和金粒子/碳纳米管复合物.本综述分两部分,第一部分着重介绍金纳米棒的光学性质和潜在应用;金纳米棒和金纳米粒子/碳纳米管复合材料的合成和组装研究将在第二部分评述.
关键词:
金属材料
,
金
,
一维金纳米材料
,
光学性质
,
合成
,
组装
,
应用
连景宝
硅酸盐通报
利用基于密度泛函理论的第一原理方法研究了Gd2O2S的电子结构及光学性质.能带结构分析表明:Gd2O2S是一种间接带隙的半导体材料,其间接带隙值为3.22 eV,且价带顶和导带底分别位于G点和M点.态密度计算表明价带顶部由O2p和S 3p态杂化而成,导带底部主要由Gd 5d态构成.在对带隙进行1.15 eV的剪刀修正后,通过第一原理方法研究了Gd2O2S的光学性质.计算并分析了Gd2O2S的介电函数、复折射率、吸收系数和透光率.其中,静态折射率的计算值与实验值吻合得很好,Gd2O2S在可见到红外区的理论透光率的计算值为76.5％.
关键词:
Gd2O2S
,
第一原理
,
电子结构
,
光学性质
杨忠华
,
刘贵立
,
曲迎东
,
李荣德
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论的CASTEP程序,对单壁手扶椅型(6,6)硅纳米管施加不同程度的拉伸变形,研究其电子结构和光学性质.研究发现,拉伸变形使得硅纳米管的Si-Si键长增加,布居数减小,稳定性降低.拉伸变形过程中,导带底的电子明显向低能区偏移,而价带顶的电子向高能区移动,从而能隙宽度减小.同时,由于共价键对价带电子的束缚度降低,价电子更容易受激发向导带跃迁.拉伸变形能够增大硅纳米管的静态介电常数和实数部的吸收宽度,并使介电函数虚数部在低能区发生红移,从而硅纳米管的能隙宽度减小.在近紫外光波段,红外和可见光波段硅纳米管的发光效率随拉伸变形量的增加而提高.研究结果为硅纳米管在光电器件的应用提供理论基础.
关键词:
第一性原理
,
硅纳米管
,
电子结构
,
光学性质
贺小文
,
孟大维
,
刘长珍
,
余小红
,
陈龙
,
谢静
材料工程
采用共沉淀法制备出不同掺杂浓度的Zn1-xFexO(0.00≤x≤0.10)粉末样品,研究掺杂浓度的不同对其结构、光学性质以及室温铁磁性的影响.采用X射线衍射仪、红外光谱仪、紫外-可见分光光度计、荧光光谱仪、振动样品磁强计对样品的结构、光学性质和磁性进行测试分析.结果表明:所有Zn1-xFexO样品都具有单一六方纤锌矿结构,没有出现第二相杂质.对紫外波段吸收率高达95％,掺Fe后可见光波段的吸收率与纯ZnO相比有明显提高,掺杂使得带隙宽度Eg由纯ZnO的3.20eV减小到3.11eV.样品光致发光主要有397nm的紫外发射和450,466nm处的蓝光发射,Fe的掺入降低了ZnO的发光强度,但并不影响其发光峰位.样品显示明显的室温铁磁性,磁性随掺杂浓度升高而减弱.
关键词:
ZnO
,
Fe掺杂
,
光学性质
,
铁磁性
李元
,
李庆
,
吴会杰
,
张进
,
林华
,
张宇
功能材料
利用化学水浴法,以表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为辅助,在100℃反应4h合成了CuS纳米花状球.用粉末X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱仪(EDX)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)以及荧光光谱仪(PL)等手段对产物进行了表征.研究表明,产物结晶性良好,产率高,形貌规整且粒径分布均匀,纳米花状球的平均直径为350nm.产物在370nm波长光的激发下,于可见光区域486nm处产生强的荧光发射峰,发生了明显的蓝移.通过对CuS纳米花状球形成机理和实验条件进行系统探讨,提出了3步反应机理,同时发现表面活性剂SDBS对产物的形貌和尺寸起着关键作用.
关键词:
CuS
,
纳米花状球
,
半导体纳米材料
,
蓝移
,
光学性质
方亮
,
彭丽萍
,
杨小飞
,
周科
,
吴芳
材料导报
本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键.从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO:In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明.
关键词:
宽禁带半导体材料
,
ZnO:In薄膜
,
光学性质
,
电学性质
