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Mn掺杂Ga2O3薄膜的结构及光吸收性能研究

胡帆 , 晁明举 , 梁二军 , 姜雅丽

材料导报

采用磁控溅射法在Si(111)和玻璃衬底上制备出不同Mn掺杂含量的Ga2O3薄膜,使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等对Mn掺杂Ga2O3薄膜的表面形貌、结晶特性和光吸收性能进行了研究.结果表明,适量掺杂Mn可抑制薄膜的晶格膨胀,促进Ga2O3薄膜晶粒的定向生长,得到尺寸分布较均匀的多面体晶粒.Mn掺杂使Ga2O3价带项向带隙延伸,光学带隙变窄,吸收边红移,近紫外区吸收增强.

关键词: Ga2O3薄膜 , Mn掺杂 , 磁控溅射 , 微观结构 , 光吸收性能

Cu/V2O5-TiO2的结构、光吸收性能与催化反应性能研究

梅长松 , 钟顺和 , 肖秀芬

功能材料

用溶胶-凝胶法制得复合半导体V2O5-TiO2,用等体积浸渍法制得Cu/V2O5-TiO2光催化剂.利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、程序升温还原(TPR)、红外光谱(IR)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外可见漫反射光谱(UV-VisDRS)和光反应器等技术研究了Cu/V2O5-TiO2的物相结构、光吸收性能和光催化反应性能.结果表明:含量为10%(质量分数)的V2O5单分子层分散在TiO2表面;V2O5负载量超过单分子层分散(>10%(质量分数))有晶相V2O5生成,光吸收性能下降;负载金属Cu促进四面体配位V向八面体配位V转化,使TiO2光吸收限发生蓝移,对可见光部分的吸收明显增加,拓宽了催化剂的光响应范围,提高了材料的光催化性能,CO2和C3H6合成MAA反应的光量子效率显著增加;催化剂的光吸收性能与反应性能呈顺变关系,Cu/10%V2O5-TiO2的催化活性优于其它含量的催化剂,光量子效率达到15.5%.

关键词: 复合半导体 , 光催化剂 , 材料结构 , 光吸收性能

正交相Y2Mo3O12薄膜的制备及光吸收性能研究

程慧 , 晁明举 , 梁二军 , 姜雅丽 , 刘志锋

材料导报

采用磁控溅射法在Si(100)和石英衬底上沉积Y2Mo3O12,并经退火处理获得正交相Y2Mo3O12薄膜.采用扫描电镜、X射线衍射仪、变温拉曼光谱仪和紫外-可见光谱计研究了薄膜的表面形貌、结晶特性、吸湿性和光吸收性能.结果表明,磁控溅射沉积Y2Mo3O12薄膜为非晶态,退火后结晶为正交相结构.正交相Y2Mo3O12薄膜表面平整、晶粒细小,具有可逆的脱水吸水性能,其光学带隙宽度为4.58eV,对近紫外光(波长286~270nm)具有很好的吸收性能,可应用于日盲探测器中.

关键词: 磁控溅射 , Y2Mo3O12薄膜 , 拉曼光谱 , 光吸收性能

水热合成纳米TiO2-Fe2O3复合材料及其光催化性能

李梅 , 丁士文 , 丁宇 , 刘来福

功能材料

以TiCl4,FeCl3·6H2O和NH3·H2O为原料,把TiCl4和FeCl3·6H2O按照化学计量比共同水解,得到的水合氧化物中间体放入高压釜中在180℃、0.8MPa下进行反应,经过滤、洗涤、烘干,得到纳米TiO2-Fe2O3复合材料.XRD分析证明产品为锐钛矿结构.TEM形貌观察,粒子基本为球形,粒径20~30nm;将样品均匀分散在甘油-水混合液中,利用UV-1200紫外-可见分光光度计测试了样品的光吸收性能,发现该纳米复合材料对紫外光和可见光均有很强的吸收.利用该纳米复合材料作为光催化剂对有机染料溶液进行了降解实验,发现在日光照射180min后,对酸性红B染料的降解率接近100%.

关键词: 纳米复合氧化物 , 水热合成 , 光吸收性能 , 光催化性能

Cu/MoO3-TiO2复合半导体光催化剂的制备与表征

梅长松 , 钟顺和

催化学报

用溶胶-凝胶法制备了复合半导体MoO3-TiO2,并用等体积浸渍法制备了Cu/MoO3-TiO2光催化剂. 利用X射线衍射、激光拉曼光谱、程序升温还原、红外光谱、透射电镜和紫外-可见漫反射光谱等技术研究了所得光催化剂的物相结构、微粒尺寸和吸光性能. 结果表明,MoO3含量为10%时呈单分子层分散在TiO2上,催化剂的平均粒径为10 nm. MoO3的引入使TiO2的吸收限发生明显的蓝移,MoO3负载量超过10%时,有体相MoO3生成,其光吸收性能下降. Mo-O-Ti键的形成加强了半导体之间的相互作用,有利于光生载流子在半导体间的传输. 负载金属Cu可促进四面体配位Mo向八面体配位Mo转化.

关键词: 氧化钼 , 氧化钛 , 复合半导体 , , 负载型催化剂 , 光吸收性能

Cu靶功率和衬底温度对Cu-SiO2纳米复合膜的相结构与光吸收性能影响

赵志明 , 邢少敏 , 张国君 , 白力静

稀有金属材料与工程

实验利用直流和射频磁控溅射方法交替沉积Cu-SiO2纳米复合膜,研究不同Cu靶功率和衬底温度对纳米复合膜的相结构和光吸收性能的影响.结果表明:随着Cu靶功率的增加,金属Cu纳米颗粒尺寸增大,导致光吸收峰峰位发生红移;随着衬底温度的升高,由于Cu再蒸发效应致使金属Cu纳米颗粒尺寸减小,引起光吸收峰峰位发生蓝移;与室温下沉积态Cu-SiO2纳米复合膜相比,在衬底加热条件下沉积的纳米复合膜在可见光波段出现了明显的表面等离子体共振吸收峰.因此,Cu靶功率和衬底温度对Cu-SiO2纳米复合薄膜的结晶状况和光吸收性能有显著影响.

关键词: Cu-SiO2纳米复合膜 , 磁控溅射 , 相结构 , 光吸收性能

纳米阵列结构光吸收性能研究进展

杨波 , 程国安 , 郑瑞廷

材料导报

分别介绍了近年来国内外对硅纳米线阵列、碳纳米管阵列和金属钠米阵列这几种典型的纳米阵列结构的研究,从理论和实验研究的角度综述了其光吸收性能的研究进展并提出了今后可能的研究方向.

关键词: 纳米阵列结构 , 硅纳米线 , 碳纳米管 , 金属纳米棒 , 光吸收性能

NiO-V2O5/SiO2光催化材料的结构和光吸收性能

孔令丽 , 钟顺和

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.029

采用表面改性法制备了SiO2负载的复合半导体材料NiO-V2O5.用BET、TPR、XRD、Raman、TEM、IR和UV-Vis DRS技术对固体材料的结构和光吸收性能进行了表征.结果表明V2O5在载体表面以微晶形式存在,粒径约为10nm,NiO和V2O5复合后部分形成了Ni2+-O-V5+键联,而且NiO和V2O5在固体材料表面有相互修饰作用.NiO的加入有助于提高V2O5在载体SiO2表面的分散程度,抑制V2O5的聚合,减小微晶尺寸,而且可以增强固体材料的光吸收性能,提高复合半导体对光能的利用率.

关键词: 复合半导体 , 五氧化二钒 , 氧化镍 , 光吸收性能

钒掺杂纳米TiO2薄膜的结构和光吸收性能

张晓勇 , 晁明举 , 梁二军 , 胡帆 , 袁斌

无机材料学报

采用磁控溅射法制备了不同V含量的纳米TiO2薄膜,利用SEM、XRD、Raman光谱和UV-vis吸收光谱对V掺杂TiO2薄膜的表面形貌、结晶特性、晶格应力和光吸收性能进行了分析.结果表明,V掺杂可促进TiO2薄膜晶粒的定向生长,得到尺寸分布较均匀的哑铃状晶粒,且可抑制薄膜的晶格膨胀和金红石型晶粒的生成.V掺杂TiO2薄膜处于压应力状态,且应力随V含量增加而增大.V掺杂使导带底向带隙延伸,TiO2薄膜光学带隙变窄,光响应范围从紫外区红移到可见光区域,提高了薄膜对可见光的吸收率.

关键词: 二氧化钛薄膜 , 钒掺杂 , 微观结构 , 光吸收性能

基于铜粉的室温气固反应自生长刺球状半导体Cu2S纳米线阵列

王大永 , 甘源 , 洪澜 , 任山

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.02.005

本研究通过简单的气-固硫化反应对ITO玻璃上涂覆的铜颗粒膜进行硫化反应,得到了大面积的自生长刺球状结构的半导体Cu2S纳米阵列.采用SEM,TEM,EDS、XRD,以及UV-vis等方法对反应生长的半导体Cu2S纳米线阵列的微观结构及光吸收性能进行了系统研究.实验结果表明,合成的Cu2S为刺球状纳米线阵列,纳米刺球的直径分布在50~100μm之间;刺球上的纳米线为单斜晶系的Cu2S单晶,晶体生长方向为[-102];纳米线的平均直径为100nm,长度分布在20~50μm之间.合成的刺球状纳米线阵列具有良好的光吸收性能,反应20小时样品在可见光波长范围内(400~800nm)平均光吸收率达到了93%;反应30小时样品在可见光波长范围内(400~800nm)平均光吸收率达到了92%.同时两种刺球状纳米线阵列结构对于大的光线入射角仍然保持很高的光吸收性能,对光线入射角的变化不敏感.当入射光角度从0°增加到60°时,光吸收率仅下降3%,明显优于文献已报道的规则排列纳米线阵列的光吸收性能.本项研究合成方法简单,工艺可控,成本低,可以采用更广的基体材料.合成的纳米结构具有优良的综合光吸收性能,在光电领域有很好的应用潜力.

关键词: 纳米线刺球阵列 , Cu2S , 气固反应法 , 光吸收性能

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