剧永波
,
陈建军
,
张宸铭
,
简月圆
,
熊正平
,
张龙泉
,
赵东升
,
罗少先
,
刘昊
,
孙宏伟
,
白贺鹏
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173203.0190
本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析.经实验发现:衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的分布是影响光刻胶和衬底粘附力的最重要的两个因素.在改善粘附力方面HMDS对于电负性较强的金属衬底和光刻胶的粘附力有较好的改善效果,对于SiNX、A-Si及P-Si衬底改善效果明显,且无差异,对于ITO没有改善.光刻胶涂布后适当延长烘烤时间也可以有效改善光刻胶和衬底的粘附力.
关键词:
粘附力
,
光刻胶
,
钼
,
钛
,
氧化铟锡
,
多晶硅
,
非晶硅
,
氮化硅
邵增军
,
彭智
,
宋国君
,
李晓茹
,
王树龙
功能材料
采用紫外线光刻技术在铝片上生成预设图案,用恒流二次氧化法在图案化的铝片上生长AAO,以此模板制备了PS和Cu纳米线阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)分析.结果表明,制备的图案是直径5μm的圆形组成,圆形图案中·心之间距离是10μm,每个圆中生长了均匀的AAO,孔径大约为60～80nm.
关键词:
紫外光
,
一维纳米结构
,
光刻胶
,
图案化模板
孙丽媛
,
高志远
,
张露
,
马莉
,
吴文蓉
,
邹德恕
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.04.004
使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀图形侧壁倾斜度的影响,并研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在不同大小图形刻蚀中的尺寸效应,提出了关于刻蚀机理的尺寸增益现象及可能发生的刻蚀离子的散射模型,解释了光刻胶厚度较大时小线宽图形侧壁倾角变化明显的现象.在研究光刻胶厚度对侧壁倾角影响的基础上,研究了不同ICP刻蚀选择比对GaAs样品刻蚀后侧壁倾角的变化的影响,并从GaAs干法刻蚀机理及刻蚀条件对ICP刻蚀过程中的化学、物理反应的影响来解释这一现象.
关键词:
ICP刻蚀
,
光刻胶
,
侧壁倾角
,
刻蚀选择比
邵增军
,
彭智
,
宋国君
,
姜宁
,
王树龙
功能材料
采用紫外线光刻技术在阳极氧化铝模板(AAO)上生成预设图案,用物理浸润的方法在图案化的模板上生长聚苯乙烯,最后用NaOH和磷铬酸溶液分别溶解模板.采用扫描电子显微镜(SEM)和电子能谱(EDS)分析.结果表明,制备的图案是直径5μm的圆形组成,圆形图案中心之间距离是10μm,每个圆中长满一维纳米阵列,其纳米特性没有变化.
关键词:
紫外光
,
苯乙烯
,
一纳米结构
,
光刻胶
,
图案化模板
何鉴
,
盛瑞隆
,
穆启道
影像科学与光化学
浸没式光刻技术是在原干法光刻的基础上采用高折射率浸没液体取代原来空气的空间,从而提高光刻分辨率的一种先进技术. 此项技术的实际应用,为当前IC产业的飞速发展起到了关键的作用. 本文概述了浸没式光刻技术的发展历程和浸没式光刻胶遇到的挑战及要求;对浸没式光刻胶主体树脂、光致产酸剂及添加剂的研究进展进行了综述;最后对浸没式光刻胶的研究发展方向作了进一步的探讨及初步预测.
关键词:
浸没式光刻
,
光刻胶
,
主体树脂
,
光致产酸剂
许箭
,
陈力
,
田凯军
,
胡睿
,
李沙瑜
,
王双青
,
杨国强
影像科学与光化学
本文简述了光刻技术及光刻胶的发展过程,并对应用于193纳米光刻和下一代EUV光刻的光刻胶材料的研究进展进行了综述,特别对文献中EUV光刻胶材料的研发进行了较为详细的介绍,以期对我国先进光刻胶的研发工作有所帮助.
关键词:
光刻胶
,
193 nm光刻
,
EUV光刻
,
化学放大光刻胶
,
分子玻璃
郑金红
影像科学与光化学
酚醛树脂-重氮萘醌正型光刻胶由于其优异的光刻性能,在g-line(436nm)、i-line(365 nm)光刻中被广泛使用.g-line光刻胶胶、i-line光刻胶,两者虽然都是用线型酚醛树脂做成膜树脂,重氮萘醌型酯化物作感光剂,但当曝光波长从g-line发展到i-line时,为适应对应的曝光波长以及对高分辨率的追求,酚醛树脂及感光剂的微观结构均有变化.在i-line光刻胶中,酚醛树脂的邻-邻′相连程度高,感光剂酯化度高,重氮萘醌基团间的间距远.溶解促进剂是i-line光刻胶的一个重要组分,本文对其也进行了介绍.
关键词:
i-line
,
光刻胶
,
酚醛树脂
,
感光剂
,
溶解促进剂
刘翔
,
王章涛
,
崔祥彦
,
邓振波
,
王海军
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.012
光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一.初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势.结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素.通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7 Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s.
关键词:
薄膜晶体管
,
四次光刻
,
光刻胶
,
灰化
白金超
,
张光明
,
郭总杰
,
郑云友
,
袁剑峰
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153004.0616
研究各膜层对灰化速率的影响,增强对灰化工艺的了解,为四次光刻工艺改善提供参考.采用探针台阶仪测量在相同灰化条件下不同膜层样品的灰化速率和有源层损失量,对结果进行机理分析和讨论.实验结果表明:有源层会降低灰化速率,源/漏金属层可以增大灰化速率,栅极金属层对灰化速率无影响.对于正常膜层结构的阵列基板,源/漏层图形密度越大,灰化速率越小,图形密度每增大1％,灰化速率下降14 nm/min.有源层和源/漏金属层对灰化等离子体产生影响,从而影响灰化速率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
四次光刻
,
光刻胶
,
灰化
