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马青松 , 陈朝辉
稀有金属材料与工程
由聚硅氧烷裂解制备出Si-O-C陶瓷,其电阻率为2220 Ω·cm.在聚硅氧烷中添加Al和MoSi2可以制备出低电阻率的Al/Si-O-C和MoSi2/Si-O-C陶瓷.制备温度对材料电阻率有很大的影响.
关键词: Si-O-C陶瓷 , 电阻率 , 聚硅氧烷 , 填料 , 先驱体裂解
徐天恒 , 马青松 , 陈朝辉
材料科学与工程学报
聚硅氧烷转化SiOC陶瓷具有特殊的亚稳结构和成分,可用作高温结构材料、光学材料、锂离子电极材料、介电材料等.本文综述了聚硅氧烷转化SiOC陶瓷微观结构的研究情况,主要包括宏观结构、微观精细结构、结构模型、结构改性技术等方面.最后,指出了存在的问题和今后发展方向.
关键词: SiOC陶瓷 , 微观结构 , 先驱体裂解 , 聚硅氧烷
