王庆阳
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张平祥
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李金山
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阎果
,
卢亚锋
稀有金属材料与工程
采用低碳钢作为外包套材料,通过原位法粉末装管工艺(in-situ PIT)制备出高密度Ti、Zr掺杂的MgB2/Fe/Cu线材.将线材短样在氩气保护条件下,于650~800 ℃烧结2-5 h.MgB2线材的微结构分析显示,通过该工艺制备的MgB2/Fe/Cu线材比MgB2块材具有更好的晶粒连结性和更高的致密度.采用标准的四引线法,在4.2 K,0~8 T的磁场下测试线材的临界电流密度.测试结果显示,800 ℃烧结的Mg0.9Zr0.1B2/Fe/Cu线材获得了最高的临界电流密度.
关键词:
MgB2线材
,
原位粉末装管法
,
元素掺杂
,
临界电流密度
潘仲彬
,
刘进军
,
尹鸿运
,
潘晶
,
刘新才
稀土
介绍了近年来NdFeB基纳米双相复合永磁材料的研究进展,主要从纳米复合双相材料的耦合机制和矫顽力机制等理论方面进行了总结,包括晶粒交换耦合作用、成核理论、钉扎理论、成分关系理论、自钉扎理论、晶体内部缺陷钉扎作用、脱溶相对主相晶粒钉扎作用等相关理论,然后从元素替代、掺杂元素对双相复合材料磁性能的影响进行了阐述.
关键词:
纳米双相复合磁体
,
交换耦合作用
,
矫顽力机制
,
元素替代
,
元素掺杂
崔锦峰
,
王心远
,
郭永亮
,
郭军红
,
杨保平
,
包雪梅
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.08.011
以9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物(DOPO)和顺丁烯二酸酐(MA)为原料合成含磷单体DOPOMA,将其与二元酸、二元醇进行缩聚反应,得到侧链含磷的端羟基饱和聚酯,再将其与 TDI 反应合成含磷阻燃热塑性聚氨酯弹性体。采用红外光谱分析(FT-IR)、热重分析(TGA)、极限氧指数(LOI)、扫描电子显微镜(SEM)、万能实验机等测试手段对含磷高聚物的结构、热稳定性、成炭能力、力学性能等进行了分析。结果表明,随着 P 含量的增加,LOI 值逐渐增大,分解温度逐渐提高,残炭率逐渐增大。燃烧炭层致密,P 元素的引入对材料的力学性能影响较小。
关键词:
9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物
,
元素掺杂
,
本征阻燃
,
聚氨酯
,
弹性体
任树洋
,
任忠鸣
,
任维丽
,
张金仓
,
池长昀
材料导报
临界电流是超导体载流能力大小的重要表征,论述了制备工艺、元素掺杂和物理场对MgB2超导体临界电流密度的影响.使用非晶态高纯硼粉制备致密的MgB2试样有利于样品临界电流密度的提高,添加SiC或者Ti也能起到提高临界电流密度的作用,质子照射使MgB2试样在高磁场条件下的临界电流密度增加,强磁场下烧结则有利于提高MgB2样品临界的传输电流密度.
关键词:
MgB2
,
制备工艺
,
元素掺杂
,
强磁场
姚占全
,
田晓
,
郝宏波
,
江丽萍
,
赵增祺
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.015
Fe-Ga合金是一种新型磁致伸缩材料,它的高强度、良好韧性、低场高磁致伸缩性能和低成本等优异特性使其具有广泛的商业应用.然而,实际制备的Fe-Ga合金的磁致伸缩数系数很小,提高Fe-Ga合金的磁致伸缩性能成为人们关注的课题.元素替代和掺杂是改善新型Fe-Ga磁致伸缩材料性能的一种有效方法.综述了近几十年来元素替代和掺杂对Fe-Ga磁致伸缩合金结构和性能的影响,并总结了各种元素替代和掺杂的研究进展.在此基础上,指出了元素替代和掺杂在改善Fe-Ga合金性能中存在的问题及今后的发展方向.
关键词:
元素替代
,
元素掺杂
,
磁致伸缩
,
Fe-Ga合金
庞学永
,
刘志权
,
王绍青
,
尚建库
中国有色金属学报
应用第一原理方法研究通过元素掺杂来抑制SnBi无铅焊料中Bi的电迁移问题.在SnBi体系中掺杂zn和Sb元素,通过用近弹性带方法计算掺杂体系中Bi元素的扩散能垒.结果表明:加入Sb之后,Bi的扩散能垒由原来的0.32 eV升高到0.46 eV,扩散激活能由原来的1.14 eV升高到1.18 eV;加入Zn后,Bi的扩散能垒由原来的0.32 eV升高到0.48 eV,扩散激活能由原来的1.14 eV升高到1.22 eV.由此可得,Zn和Sb的加入都能够提高Bi的扩散激活能,起到抑制扩散的作用.通过分析态密度可知:加入Zn和Sb后,体系中Sb与Bi的p态曲线几乎完全重合,比Sn与Bi的p态曲线重合度高很多,说明sb和Bi的共价键作用很强,且比Sn-Bi的共价键作用强,从而增加Bi的扩散能垒.同样,Zn和Bi的p态曲线重合度也比Sn和Bi的曲线重合度高很多,表明Zn-Bi的共价键同样比sn-Bi的共价键强,所以Zn的加入同样增加Bi的扩散能垒.总结说来,Sb和zn的掺杂能够抑制SnBi焊料中Bi的电迁移.
关键词:
第一原理计算
,
电迁移
,
SnBi无铅焊料
,
元素掺杂
刘睿
,
尚家香
人工晶体学报
本文采用第一性原理计算方法与准谐德拜模型相结合研究了C、N取代掺杂O原子对β-Ti3O5和λ-Ti3O5的电子结构以及相变温度的影响规律.结果表明:C元素对两相的电学特性影响较大,掺杂后β-Ti3O5和λ-Ti3O5的带隙宽度分别增加至1.25 eV和1.5 eV;氮元素的掺杂使β-Ti3O5的带隙增大到0.5 eV,同时仍然保持λ-Ti3O5的金属性不变,加剧了相变前后两相的电学差异,N掺杂使Ti3O5更适于应用在光学存储领域;同时对N掺杂Ti3O5的相变影响进行了研究,发现N掺杂可以有效降低相变温度.
关键词:
Ti3O5
,
电子结构
,
元素掺杂
范君伟
,
陆伟
,
李成魁
,
严彪
金属功能材料
BiFeO3是一种室温下同时具有铁磁性和铁电性的铁磁电材料,在新型存储器件和自旋电子器件方面都有着潜在的应用前景而受到广泛的关注.本文综述了不同元素掺杂对BiFeO3铁磁电材料性能影响,并展望了BiFeO3铁磁电材料今后的研究和发展趋势.
关键词:
BiFeO3
,
铁磁电材料
,
元素掺杂