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直接氮化法制备Si3N4粉体过程研究

刘松喆 , 季惠明 , 梁辉 , 马艳红

稀有金属材料与工程

采用直接氮化的工艺方法,以Si粉为初始原料,采用Fe粉为催化剂,在高温下直接进行氮化,制备了Si3N4粉体.着重讨论了催化剂含量和氮化工艺条件对粉体的氮化率、粒径、形貌和相含量等方面的影响.实验结果表明:催化剂含量,球磨工艺,烧结制度是影响Si3N4粉体最终性能的3个主要因素,并且在掺杂Fe为0.5%,球磨时间为2h,采用分阶段保温升温的方法,在氮化温度为1400～1350℃下氮化2～3 h,制备了氮化率95%左右,α相含量接近90%,形状为等轴状的Si3N4粉体.

关键词: Si3N4粉体 , 直接氮化法 , 催化剂Fe , 工艺条件

铁诱导低温SiC薄膜的合成

于威 , 郑志远 , 刘丽辉 , 傅广生

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.012

采用热丝化学气相沉积法,以铁作为催化剂,在较低的衬底温度合成纳米SiC薄膜.铁粒子是在400Pa氢气的气氛中,通过用脉冲激光烧蚀铁靶5min引入的.用扫描电镜和拉曼谱对样品进行了分析.扫描电镜观察到了直径为10-30nm,长度短于1μm的无序SiC棒.拉曼谱中的横向生子模式的红移表明生长方向的限制效应.所有这些说明Fe粒子的大小将影响到SiC棒的生长.

关键词: SiC棒 , HFCVD , 催化剂Fe

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