于金伟
电镀与涂饰
从化学镀钯反应机理入手,分析了影响化学镀钯质量的工艺参数,并运用DOE(试验设计)中的健壮设计实验方法,对这些参数进行了优化,获得了新型ENEPIG(化学镀镍、钯与浸金)印制电路板生产中化学镀钯的最优化工艺参数:氯化钯质量浓度2.2 g/L,次磷酸钠质量浓度13.2 g/L,氨水体积分数165 mL/L,温度55℃,pH 9.6,氯化铵质量浓度33 g/L.验证试验表明,应用优化后的化学镀钯工艺时,钯的沉积速率均值从原来的0.64 mg/(cm2·min)提升到4.83 mg/(cm2·min),分散度也有明显改善.经过大样本量验证,试验具有良好的重复性和再现性.
关键词:
印制电路板
,
化学镀钯
,
优化
,
健壮设计
,
沉积速率
