殷景志
,
杜国同
,
龙北红
,
杨树人
,
许武
,
宣丽
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.009
为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA),将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构.器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构,避免了常规制作SOA的复杂工艺.对样品3在80～125 mA电流范围内,获得了偏振灵敏度≤0.6 dB,最小可达0.1 dB; 较大的电流范围内FWHM值为40 nm.
关键词:
应变补偿
,
偏振不灵敏
,
半导体光放大器
