刘金伟
,
刘国庆
,
江竹青
,
陶世荃
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.021
本文叙述了利用侵蚀法研究掺杂LiNbO3的晶体缺陷,并讨论了晶体缺陷的形成机理以及其与体全息存储性能的关系.通过实验发现了常温下侵蚀铌酸锂晶体的规律,并利用侵蚀法观测到铌酸锂晶体样品表面呈三角锥状的位错侵蚀坑.测量了晶体样品的散射噪声,从中找出了晶体缺陷与存储图像质量关系.并发现掺Zn的Fe:LiNbO3晶体其晶体缺陷减少,晶体体全息存储性能有了明显提高.
关键词:
铌酸锂晶体
,
位错缺陷
,
侵蚀观测法
,
散射噪声
,
体全息存储
