王瑞
,
周灵平
,
汪明朴
,
朱家俊
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李德意
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李绍禄
材料科学与工程学报
采用双靶磁控溅射共沉积方法制备Cu-W薄膜,其微观结构及形貌通过XRD、TEM和SEM方法测试,结果表明,Cu-W薄膜是由Cu固溶于W或W固溶于Cu的亚稳态固溶体组成,且随着W含量的增加,Cu-W薄膜依次形成面心立方fee结构的Cu基亚稳固溶体、fee和bee结构固溶体的双相区以及体心立方bee结构的W基亚稳固溶体,晶粒尺寸随溶质原子含量的增加而减小.这些亚稳固溶体的形成是由于溅射出的原子动能足以克服Cu、W固溶所需的混合热.以及溅射过程中粒子的纳米化和成膜过程中引入的大量缺陷造成的.
关键词:
低维金属材料
,
铜钨薄膜
,
磁控溅射
,
亚稳固溶体
潘碧峰
,
崔大祥
,
徐萍
,
李清
,
黄拓
,
陈浩
,
刘凤涛
,
邵君
,
尤晓刚
,
贺蓉
,
高峰
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.03.003
报道了种子生长法合成金纳米棒.以氯金酸(HAuCl4)为原料,以硼氢化钠(NaBH4)为还原剂,首先还原金离子(Au3+)得到直径为3-4nm的金种子.以银离子(Ag+)为辅助离子,以十六烷基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,以抗坏血酸为弱还原剂,加入金种子溶液之后可以获得纳米棒.研究表明,通过改变银离子的用量可以控制金纳米棒长径比为2-5.TEM和UV-vis光谱的表征证实了金纳米棒的形貌和光谱特征,并深入探讨了金纳米棒的生长机理.
关键词:
低维金属材料
,
金纳米棒
,
种子生长法
,
形貌控制
朱绍将
,
刘翔
,
彭巨擘
,
严磊
,
张鹏翔
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2003.04.010
用脉冲激光溅射(PLD)法在LaAlO3(100)单晶衬底上制备了掺4.0 wt%Ag的超巨磁电阻材料La0.67Ca0.33MnO3薄膜.在氧气氛中经高温处理后薄膜显示了近室温的金属-绝缘体相变点(TMI≈300 K),与通常提高TMI的结果相比较,此工艺较好地保持了材料相变点区间的陡度,且电阻温度系数(TCR)在此区内仍达到8%.这为制造近室温磁敏感元件、自旋电子学器件、辐射热探测器等提供了重要材料.
关键词:
低维金属材料
,
超巨磁电阻
,
金属-绝缘体相变
,
电阻温度系数
戴姣燕
,
胡昌义
,
万吉高
,
方颖
,
欧阳远良
,
高文桂
,
刘伟平
,
杨家明
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2006.01.005
以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在石英片上沉积了Ir/C簇膜.研究了氧气流量及沉积温度对Ir/C簇膜成分和结构的影响.研究发现,少量氧气的加入(4mL/min)大幅度地降低了Ir/C簇膜中碳元素的含量;沉积温度对薄膜中碳含量的影响规律则比较复杂:未通氧气的情况下,在实验温度范围内碳含量随着温度的升高而增大,而在通入氧气的情况下碳含量呈现出先升后降的复杂变化趋势.大量碳的沉积宽化了Ir的衍射峰,使其具有非晶衍射的特征.当沉积温度为650℃,未通氧气沉积的Ir/C簇膜中铱晶粒粒经约为3nm.
关键词:
低维金属材料
,
Ir/C簇膜
,
成分
,
结构
,
金属有机化合物化学气相沉积
