廖凌宏
,
周志文
,
李成
,
陈松岩
,
赖虹凯
,
余金中
,
王启明
材料科学与工程学报
由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-x Gex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-y Ge,(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%.在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性.
关键词:
低维无机非金属材料
,
量子阱
,
光致发光谱
,
弛豫缓冲层
施益峰
,
全慧娟
,
郑国斌
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.03.017
以正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体,二茂铁为催化剂前驱体,利用气相流动催化热解法在850～1160℃连续合成了单壁碳纳米管(SWNTs).在此过程中,以由TEOS分解得到的二氧化硅颗粒和二茂铁分解得到的铁颗粒在气流中直接形成的复合粒子作为催化剂,二氧化硅作为铁颗粒的载体.电子显微镜和激光拉曼光谱的观测和分析表明,在所得到的产物中SWNTs的含量约为10%,其直径为1～2 nm.
关键词:
低维无机非金属材料
,
单壁碳纳米管
,
流动催化热解法
,
正硅酸乙酯
