熊德平
,
任爱光
,
王琦
,
黄辉
,
黄永清
,
任晓敏
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.005
采用两步生长法用金属有机物气相外延技术在GaAs(100)衬底生长InP,用原子力显微镜探索了退火和未退火的低温缓冲层以及InP外延层的表面形貌,测量了他们的表面均方根值,讨论了低温缓冲层表面形貌随生长温度的变化以及退火对其表面形貌的影响,并分析外延层与低温缓冲层表面形貌的依赖关系,外延层表面形貌均方根值与XRD测量值一致,在450 ℃生长低温缓冲层,外延层有最好的表面形貌.
关键词:
退火
,
原子力显微镜
,
均方根
,
低温缓冲层
李林
,
王勇
,
刘国军
,
李梅
,
王晓华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.032
采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控.通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率.实验测量GaSb的生长周期为1.96s,每秒沉积0.51单分子层.低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量.
关键词:
GaSb薄膜
,
反射式高能电子衍射仪
,
分子束外延
,
低温缓冲层
,
表面结构
