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低温化学气相沉积法制备SiC纳米粉体

李斌 , 张长瑞 , 胡海峰 , 齐共金

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.018

合成了液态碳硅烷并对其结构进行了分析;采用化学气相沉积工艺,以自制的液态碳硅烷为先驱体,分别在850℃和900℃的较低温度下制得了SiC粉体,并对产物进行了IR、XRD和SEM分析.结果表明,850℃产物中含有未分解完全的有机基团,900℃产物为较纯的部分结晶的纳米SiC粉体,粒度为50~70nm.

关键词: 低温化学气相沉积 , 碳化硅 , 碳硅烷 , 纳米粉体

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