郑海务
,
苏剑峰
,
顾玉宗
,
张杨
,
傅竹西
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.01.006
采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了CsHs气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C3Hs气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用A1N过渡层,制备出结晶质量更好的SiC薄膜,表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长,起决定性因素的是温度,过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素.
关键词:
无机非金属材料
,
6H-SiC薄膜
,
低压CVD
,
蓝宝石
,
微结构
