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低压化学气相沉积法生长 B 掺杂 ZnO 薄膜及其性能

徐小科 , 赵俊亮 , 李效民 , 吴永庆 , 杨哲 , 何兵

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.009

低压化学气相沉积法生长的 B 掺杂 ZnO 薄膜具有良好的光散射特性,可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极.以 Zn (C2 H 5)2和 H 2 O 为前驱体, B2 H 6为掺杂物,通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了 B 掺杂 ZnO 薄膜.通过 XRD、FESEM、四探针测试仪等手段对样品的结构特征、微观形貌及导电性能进行表征,着重研究了(110)取向的 BZO 薄膜的生长机理.结果表明,厚度在500 nm 以下的 BZO 薄膜主要表现为(002)取向,随着厚度的增加,薄膜取向开始向(110)转变.所得 BZO 镀膜玻璃在400~1000 nm范围内总透过率>80%,雾度最高可达28%(550 nm),方块电阻最低约7Ω/□,电阻率最低约1.0×10-3Ω?cm.

关键词: BZO , 透明导电氧化物 , 生长机理 , 雾度 , 低压化学气相沉积(LPCVD)

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