曹轲
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任凤章
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苏娟华
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赵士阳
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田保红
稀有金属材料与工程
用直流电沉积双槽法在纯铜基体上制备了不同调制波长的Cu/Ag多层膜,研究了多层膜硬度与调制波长之间的关系.实验结果表明,当调制波长位于600～300nm时,Cu/Ag多层膜的硬度与调制波长之间较好地符合基于位错塞积模型的Hall-Petch关系;当调制波长小于300 nm时,硬度与调制波长的关系偏离了HaU-Petch关系.由实验结果分析得出了Cu/Ag多层膜的位错稳定存在极限晶粒尺寸约为25 nm,与基于程开甲等人的位错稳定性理论得出的Ag晶体极限晶粒尺寸27 nm接近,验证了程开甲等人的位错稳定性理论.
关键词:
Cu/Ag多层膜
,
Hall-Petch关系
,
位错塞积模型
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位错稳定性
任凤章
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周根树
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郑茂盛
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赵文轸
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顾海澄
稀有金属材料与工程
用电沉积法在低碳钢基体上制备了具有不同调制波长(一个调制波长等于单层Cu膜与单层Ni膜厚度之和)的Cu / Ni金属多层膜,研究了多层膜硬度与其中单层膜厚度之间的关系.结果表明,当膜厚在亚微米范围内时,Cu / Ni多层膜的屈服强度(为硬度值的1/3)与单层膜厚之间符合基于位错塞积模型的Hall-Petch(H-P)关系式;而当单层膜厚小于100 nm时,屈服强度与膜厚的关系偏离了H-P线性关系.基于程开甲等人位错稳定性理论首次对金属多层膜变形行为偏离Hall-Petch关系的现象作了定量解释.
关键词:
多层膜
,
Hall-Petch关系
,
位错稳定性
,
单个位错模型
