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位错和位错偶沿单一滑移系从裂纹尖端的发射

钱才富

金属学报

采用计算机模拟了位错和位借偶沿单一滑移从裂纹尖端的发射, 考察了滑移面取向, 外加载荷, 晶格摩擦力以及位错发射的临界应力强度因子对所发射的位错数量, 塑性区与无位错区大小以及裂尖残余应力强度因子的影响.

关键词: 位错发射 , null , null , null , null

Ⅰ型裂纹尖端塑性区和无位错区及其对裂纹扩展的影响

钱才富 , 李慧芳 , 崔文勇

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.06.008

用裂纹与位错的相互作用模拟了刃型位错从Ⅰ型裂纹尖端沿多个滑移面的发射,得到了裂纹尖端周围塑性区和无位错区的形状和大小.结果表明,与宏观断裂力学算出的塑性区形状相比,本文给出的塑性区向裂纹前方倾斜;无位错区的形状与塑性区的相似.以应变能密度因子理论为判据,当存在明显的无位错区时,塑性区使裂纹扩展的潜力下降,但扩展方向不变;而当塑性区充分发展、无位错区的作用减小或消失后,裂纹扩展的方向可能发生变化.

关键词: 材料科学基础学科 , 位错发射 , 塑性区 , 无位错区 , 裂纹扩展

纳米压痕形变过程的分子动力学模拟

李启楷 , 张跃 , 褚武扬

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.12.002

根据EAM多体势,利用分子动力学方法模拟了Ni压头压入Al基体的纳米压痕全过程.包括压头接近和离开基体时的原子组态;压入和上升时的载荷-位移曲线以及位错的发射和形变带的产生和变化;同时模拟了纳米尺度的应力弛豫行为.结果表明,当压头尚未接触基体时就能吸引基体原子,通过缩颈而互相连接.当压入应力Ts为1.9 MPa时,基体Al开始发射位错;当分切应力Td=6.4 MPa时,出现形变带.压头上升过程出现反向的拉应力,使基体反向屈服,在卸载过程中基体残留位错的组态不断改变.当压头上升离开基体后能拉着基体通过缩颈而相连,当压头和基体分离后仍粘有基体原子.在纳米尺度也存在应力弛豫现象,其原因是热激活引起的位错发射和运动.

关键词: 纳米压痕 , 分子动力学模拟 , 位错发射 , 形变带 , 应力弛豫

裂纹尖端塑性区和无位错区的微观模拟

钱才富 , 姜忠军 , 陈平 , 段成红 , 崔文勇

金属学报

用细观断裂力学研究了刃型位错从I型、II型及I+II复合型裂纹尖端沿多个滑移面的发射以及裂纹周围无位错区和塑性区的形状和大小. 结果表明, II型裂纹塑性区形状和宏观断裂力学算出的塑性区形状有所不同, 而I型裂纹塑性区形状则类似; 当外载荷相同时, II型裂纹的塑性区比I型裂纹的塑性区要大得多; 复合型裂纹的塑性区形状和大小更接近II型裂纹. 各种裂纹尖端周围均存在无位错区, 其形状与相应的塑性区相似.

关键词: 位错发射 , crack , plastic zone

裂纹尖端塑性区和无位错区的微观模拟

钱才富 , 姜忠军 , 陈平 , 段成红 , 崔文勇

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.02.009

用细观断裂力学研究了刃型位错从Ⅰ型、Ⅱ型及Ⅰ+Ⅱ复合型裂纹尖端沿多个滑移面的发射以及裂纹周围无位错区和塑性区的形状和大小.结果表明,Ⅱ型裂纹塑性区形状和宏观断裂力学算出的塑性区形状有所不同,而Ⅰ型裂纹塑性区形状则类似;当外载荷相同时,Ⅱ型裂纹的塑性区比Ⅰ型裂纹的塑性区要大得多;复合型裂纹的塑性区形状和大小更接近Ⅱ型裂纹.各种裂纹尖端周围均存在无位错区,其形状与相应的塑性区相似.

关键词: 位错发射 , 裂纹 , 塑性区

Ni基高温合金单晶裂尖位错行为的动态研究——Ⅱ.界面对DFZ的影响

王瑞杰 , 徐永波 , 王中光 , 周敬 , 张静华 , 胡壮麒

材料研究学报

Ni 基高温合金中含有大量的γ′强化相,γ/γ′界面阻碍位错的运动,同时对裂尖无位错区(DFZ)的形成及尺寸都有很大的影响。可用以下表达式来描述两者间的关系:L(DFZ)=0.7X_(ob)~(1.07),其中L(DFZ)为DFZ 长度,X_(ob)为γ/γ′界面到裂尖距离。对实验结果进行了理论推算并同实验结果相吻合。

关键词: 高温合金 , interface , dislocation free zone(DFZ) , dislocation emission

吸附促进位错发射、运动以及裂纹扩展的分子动力学模拟

李忠吉 , 刘辉 , 高克玮 , 乔利杰 , 褚武扬

金属学报

根据反演法获得的对势和EAM多体势计算了纯Al位错发射的临界应力强度因子KIe以及Griffith裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG.结果表明,用对势算出的值和断裂力学计算结果更相近.因此,用对势来研究吸附的影响是可行的分子动力学模拟表明,Ga吸附在裂纹表面将使KIG=0.42 MPa•/ 降至KIG=0.32 MPa•/ m,这表明吸附使表面能γ降至γ*(=0.58γ).Ga吸附使KIe=0.31 MPa•/ 降至KIe=0.24 MPa/ ;Ga吸附使位错运动的临界分切应力从Tc=2.05MPa降至Tc=1.82 MPa.这就表明,Ga吸附后能降低Al的表面能,从而促进位错发射和运动.

关键词: Al , null , null , null

Ni基高温合金单晶裂尖位错行为的动态研究——Ⅰ.DFZ 的形成及微裂纹的扩展

王瑞杰 , 徐永波 , 王中光 , 周敬 , 张静华 , 胡壮麒

材料研究学报

用透射电镜原位观察方法对Ni 基高温合金单晶裂纹尖端位错行为进行了研究。发现在裂纹扩展的同时伴随着位错的发射,并在裂纹尖端形成无位错区(DFZ)。γ/γ′界面的存在阻碍位错的运动,并使DFZ 变短。

关键词: 高温合金 , in situ observation , dislocation emission , dislocation-free zone , γ/γ′interface

阳极溶解促进α-Ti位错发射,运动导致SCC微裂纹形核

吕宏 , 王雪梅

金属学报

用激光云纹干涉法原位测量了应力腐蚀(SCC)前后缺口前端位移场的变化并进行TEM原位观察, 结果表明. 阳极溶解能使块状试样缺口前端塑性区及其变形量增大. 当 溶解促进的局部塑性变形发展到临界条件, 就会导致SCC微裂纹在无位错区中形核. α-Ti在甲醇溶液中表面钝化膜形成和保持过程中会在内界面产生较大的拉应力, 它能协助外应力促进局部塑性变开有绕进而促进SCC裂纹形核.

关键词: 应力腐蚀 , null , null , null

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