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靳瑞敏 , 卢景霄 , 冯团辉 , 王海燕 , 张丽伟
人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.023
用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.分析发现在传统炉中850℃下退火三个小时晶粒大小出现极大值,平均晶粒尺寸为30nm左右.
关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 传统炉退火 , 量子态 , 晶粒大小
