许仕龙
,
朱满康
,
黄安平
,
王波
,
严辉
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.044
采用磁控溅射法,在衬底温度为620°C时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜.衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性.同时,C-V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能.
关键词:
Ta2O5
,
介电薄膜
,
晶化温度
,
衬底负偏压
