董月云
,
郑芸
,
江平开
,
韦平
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2007.01.009
以乙酰丙酮铝(AlAcAc)作为脂环族环氧树脂/液体酸酐体系潜伏性促进剂,由动态DSC曲线放热峰的位置和形状可发现添加少量的乙酰丙酮铝能有效地促进酸酐固化环氧的反应并且降低起始反应温度,介电损耗-温度谱实验显示整个温度范围内样品均保持较低的介损值,40 ℃下配方样品的tanδ均低于0.001,150 ℃的tanδ不超过0.037 5.同时由动态DSC不同升温速率下跟踪体系固化反应过程,利用Kissinger和Crane方程对该固化反应进行了动力学分析,计算了固化动力学参数,固化反应表观活化能△Ea=48.3 kJ/mol,反应级数n=0.89.
关键词:
环氧树脂
,
酸酐
,
乙酰丙酮铝
,
潜伏性促进剂
,
DSC
,
介电损耗
,
反应动力学
晏伯武
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.017
为探索PZT压电陶瓷材料的损耗机理,对Pb0.9Ba0.05Sr0.05(Sn1/3Nb2/3)0.06(Zn1/3Nb2/3)0.06Ti0.44Zr0.4403分别进行Co2O3、Sb2O3掺杂,Mn(NO3)2、Sb2O3掺杂的实验,以及陶瓷的不同成型工艺的比较实验.该PBSZT体系在相同烧结条件下,一定量的Sb2O,Mn(NO3)2掺杂下,体系机械损耗与介电损耗之比为0.09左右;而一定量的Co2O3、Sb2O3掺杂时,则其值在0.55左右.表明一定的材料组成下,机械损耗和介电损耗有较好的相关性,但同时不同成型方法也对同一组成的两种损耗的比值影响较大.
关键词:
锆钛酸铅
,
压电陶瓷
,
介电损耗
,
掺杂
盖志刚
,
王矜奉
,
明保全
,
杜鹃
,
郑立梅
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.004
对无铅压电陶瓷0.94[(Na0.96-xKxLi0.04)0.5Bi0.5]TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3的性质随K含量的变化进行了系统研究,获得压电应变常数d33高达185pC/N的0.94[(Na0.80K0.16Li0.04)0.5-Bi0.5]TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷.随着K掺杂量的增加,该陶瓷材料的介电温谱峰值向右明显移动,其介电峰温度明显升高.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
介电常数
,
介电损耗
,
压电性能
刘坤
,
杨剑
,
谷宏洁
,
毛昌辉
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2011.02.009
采用直流磁控溅射法在空芯玻璃微球表面镀Al膜,将空芯玻璃微球、镀AJ膜玻璃微球和高分子粘合剂按一定比例混合制成人工介质材料.用波导法测量人工介质材料的介电常数,并采用有效媒质理论对测试结果进行分析.结果表明,在8～12 GHz频率范围内,人工介质材料的介电常数随镀Al膜玻璃微球含量的增加而增加,其介电常数在2～5范围内可调.再经热处理工艺优化,人工介质材料的介电损耗正切值可降至0.015以下.
关键词:
直流磁控溅射法
,
空芯玻璃微球
,
介电常数
,
介电损耗
崔学民
,
邱树恒
,
童张法
,
周济
功能材料
利用预煅烧法制备了BaO-TiO2-B2O3-SiO2体系低温共烧陶瓷(简称LTCC)材料,其烧结温度在900℃以下,介电常数在4～20之间随组成变化而调节,介电损耗能保持在0.002左右的水平;研究发现,玻璃陶瓷材料的原始组成、烧结体致密度和电场频率等是影响介电常数的主要因素;而影响介电损耗大小的相关因素比较复杂,本文研究认为材料的原始相组成、烧结体相组成、体电阻率、温度及电场频率等因素起主要作用;研究结果进一步表明,LTCC烧结体的介电损耗与烧结致密度没有明显的联系.
关键词:
LTCC
,
介电常数
,
介电损耗
,
电阻率
杨海波
,
梁辉
,
尹力
稀有金属材料与工程
以氧化铝、碱式碳酸镁和二氧化硅为原料,用固相合成法制备了堇青石-假蓝宝石复相陶瓷材料.用阿基米德法测量了其开口气孔率,用X射线衍射仪研究了该材料成分组成.测试其介电性能,并重点分析讨论了气孔率、假蓝宝石含量、烧结助剂含量、晶格常数对此复相材料的介电性能的影响.结果表明,该材料具有低的介电常数和较小的介电损耗,介电常数ε＜7.0,介电损耗tgδ＜10-3.
关键词:
堇青石-假蓝宝石复相陶瓷
,
介电常数
,
介电损耗
,
假蓝宝石
王晓军
,
黄平
,
崔彩娥
稀有金属材料与工程
用高温固相烧结法制备了V~(5+)掺杂的Bi_3.25La_0.75Ti_3O_(12)(BLT)层状结构铁电陶瓷.利用XRD对Bi_3.25La_0.75Ti_(3-x)VxO_(12+x/2)(BLTV-x)材料结构进行了晶相分析,结果表明所制备的陶瓷均具有单一的正交相结构.样品的介电常数温度谱显示:V~(5+)掺杂提高了材料的介电常数,x=0.03时介电常数最大,但样品的居里温度并没有发生大的变化.样品的介电损耗谱表明:由于V~(5+)掺入,由氧空位引起的样品介电损耗被极大的压制,在x=0.06时损耗最小.通过对材料的直流电导与温度关系的Arrhenius拟合,分析了样品的导电机理,结果显示V~(5+)的掺杂大大降低了材料中氧空位的浓度,使得陶瓷样品的电性能得到了很好的改善.
关键词:
介电损耗
,
激活能
,
电导率
,
Bi_3.25La_0.75Ti_(3-x)V_xO_(12+x/2)
冯全源
,
任朗
功能材料
采用标准陶瓷工艺,并进行湿压磁场成型和氧气氛烧结,制备了高取向度、低介电损耗的各向异性Ba(ZnTi)xFe12-2xO19多晶六角铁氧体.随着x值增大.磁化强度减小,居里温度下降,磁晶各向异性常数减小.结果可以通过假设Zn2+取代了四面体4f1次点阵位和六面体2b次点阵位上的Fe3+;Ti4+取代了自旋向上的八面体12k,2a次点阵位上的Fe3+来解释.
关键词:
六角铁氧体
,
介电损耗
,
取向度
,
居里温度
,
磁晶各向异性场
,
饱和磁化强度
王宇光
,
刘敏
,
周洪庆
,
陈栋
,
杨春霞
,
沈朝忠
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.03.009
在Bao0.55Sr0.45TiO3(BSTO)与质量分数为55%的MgO混合的基础上,进行ZrO2掺杂的系统研究.结果表明.随着ZrO2掺入量的增加,BSTO/MgO材料的损耗基本保持不变,调谐性显著提高,但过量的ZrO2掺杂使得材料的调谐性降低.当ZrO2掺杂1%(摩尔分数)时,BST/MgO材料的介电常数为117,介电损耗为3.95×10-3(3.2 GHz),介电常数调谐性达9.9%(2.0 kV/mm).利用电介质理论分析ZrO2对BST/MgO材料介电性质的改性机理.
关键词:
钛酸锶钡
,
ZrO2
,
介电常数
,
介电损耗
,
铁电材料
,
调谐性
