王季魁
,
沈明荣
,
方亮
,
甘肇强
功能材料
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质.发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.029.在与均匀薄膜相同的条件下分别制备了PST45/PST55,PST50/PST60,PST55/PST65 3种多层膜.发现PST50/PST60多层膜的介电常数得到了明显的增强,在频率为10kHz时相对于同厚度的PST55均匀薄膜从879增加到1008,而损耗依然保持较低(0.027).研究同时表明,PST多层膜在电容-电压可调谐性和介电击穿等性质方面也较均匀薄膜有不同程度提高.与其它两种多层膜比较后发现,在PST50/PST60多层膜中处于PST55左右组分的界面层对介电性质有比较大的影响.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
钛酸锶铅
,
多层膜
,
介电性质
蒋毅坚
,
功能材料
采用激光加热基座法(LHPG)生长出了共晶系(Mg095Ca0.05)TiO3晶体.通过粉末X射线衍射分析了所生长晶体的晶相,采用扫描电镜和显微拉曼光谱技术研究了所生长晶体的微观结构.(Mg0.95Ca0.05)TiO3晶体由CaTiO3和Mg-TiO3两种晶体复合而成.介电测量结果表明:(Mg0.95Ca0.05)TiO3晶体沿生长方向具有较大的介电常数和较小的共振频率温度系数.
关键词:
(Mg0.95Ca0.05)TiO3晶体
,
激光加热基座生长
,
共晶
,
介电性质
张鹏展
,
沈明荣
,
徐俞
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.014
选取极薄Ti02作为过渡层,采用脉冲激光沉积法分别在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备了Bao.6Sro.4TiO3(BST)薄膜,研究过渡层对BST薄膜微结构及电学性质的影响.发现厚度20纳米以内的锐钛矿相结晶TiO2过渡层可使BST薄膜由无规则取向转变为(111)择优取向,而非晶和较厚TiO2过渡层对BST薄膜的取向无影响.结晶的TiO2过渡层也使薄膜的表面颗粒变细.还研究了不同厚度TiO2对BST薄膜电学性质的影响,结果表明BST薄膜在Pt(111)底电极上加入极薄的结晶TiO2过渡层后电学性质有明显改善,薄膜的介电常数和可调谐度提高,而介电损耗降低.加入膜厚约5nm的TiO2过渡层后,测试频率为10 kHz时薄膜相应介电常数、介电损耗及可调谐度分别为513、0.053和36.7%.
关键词:
脉冲激光沉积法
,
BST薄膜
,
TiO2过渡层
,
微结构
,
介电性质
肖洪地
,
王成建
,
马洪磊
功能材料
用稀土元素改性的SrTiO3陶瓷采用传统的陶瓷工艺来制备.本文研究了SrTiO3基陶瓷,(1+x)SrTiO3+x(Ln@4TiO2)陶瓷的介电性质,并且报道了稀土元素Ln(Ln=La2O3、Nd2O3、Y2O3或CeO2)对SrTiO3基陶瓷的ετ和tgδ的温度特性和频率特性的影响.
关键词:
介电性质
,
介电温度特性
,
介电频率特性
,
导电机制
朱昀亮
,
许伟伟
,
曹春海
,
吴立勇
,
孙国柱
,
杨森祖
,
吴培亨
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.062
对铁电材料SrTiO3(STO)薄膜的介电性质及其在微波器件特别是高温超导滤波器频率调节方面的应用进行了研究.在相关理论分析和软件仿真计的基础上的计算,获得了电调微带线谐振器的频率调节范围等电特性与器件结构参数的关系.我们采用YBCO作为STO薄膜的驱动电极,使用脉冲激光沉积的方法制备了叉指结构的电调薄膜.利用微波近场显微镜测量了电场对STO薄膜的介电性质的影响.
关键词:
铁电薄膜
,
电调谐
,
介电性质
,
高温超导滤波器
冯双久
,
张显良
,
倪江利
材料导报
测量了不同离子掺杂Bi2Sr2CaCu2Oy多晶样品的射频介电常数,发现样品的介电常数存在明显差别,分析认为这是由于离子掺杂改变了材料中的载流子浓度,导致材料的空间电荷极化差异所引起的.基于这种机制,成功解释了不掺杂样品在1700MHz附近的弛豫现象和不同样品损耗性质的差异.
关键词:
电工材料
,
介电性质
,
Bi系铜氧化物
,
空间电荷极化
,
损耗角正切
唐剑兰
,
朱满康
,
陈川
,
侯育冬
,
汪浩
,
严辉
稀有金属材料与工程
系统地研究了pH值对沉淀法制备弛豫铁电体PSN粉末的相结构,化学组成和晶粒形貌的影响.实验发现,以NH4OH作为沉淀剂,随着pH值从2增至12,金属离子按Nb,Sc,和Pb的顺序先后沉淀;当pH达到8～10时,3种元素的沉淀率均达到99%以上.此外,在不同的温度下煅烧沉淀粉体发现,pH超过8时得到的粉体都经历了从焦绿石变为纯钙钛矿相的转变过程;相反,在低pH值下得到的粉体一直存在一定的焦绿石相.而且,随着pH的上升,晶粒形貌从200 nm的球状变为1 μm的片状.pH值为8时沉淀得到的粉体,经800 ℃煅烧,得到符合化学计量比的Pb(Sc1/2Nb1/2)O3粉末,由此烧结得到的陶瓷表现出良好的弛豫铁电性.
关键词:
pH值
,
Pb(Sc1/2Nb1/2)O3
,
沉淀法
,
化学计量比
,
介电性质
刘红日
,
刘祖黎
,
姚凯伦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.012
用溶胶-凝胶方法在LaNiO3底电极上制备了纯的和10%A位La替代的BiFeO3薄膜.研究了室温下薄膜的介电与铁电性质和漏电流性质.铁电性研究表明,通过La替代,薄膜的铁电性得到显著增强,剩余极化强度由1.67 μC/cm2增加到2.20 μC/cm2.介电性质研究表明,在整个测试频率范围内,La替代的薄膜的介电性得到了增强.低频下的介电损耗增加而高频的介电损耗减少.而漏电流特性测试表明,La替代有效的限制了BiFeO3薄膜的漏电流.
关键词:
BiFeO3薄膜
,
La替代
,
铁电性
,
介电性质
,
漏电流
梅方
,
李立本
,
臧国忠
功能材料
通过传统陶瓷制备工艺制备了致密的SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷，研究了不同SnO2、Zn2SnO4复合比例对陶瓷介电性质的影响及其高介电性质产生的机理。研究发现，40Hz时，该复合陶瓷的相对介电常数高达10^4，远高于SnO^2、Zn2SnO4陶瓷，且样品的相对介电常数、导纳随组分的变化规律一致。进一步研究发现，样品的电容随着施加偏压的变化满足肖特基势垒电容公式，这表明，SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷的高介电行为起源于晶界处的双肖特基势垒。
关键词:
介电性质
,
复合陶瓷
,
肖特基势垒
,
SnO2
吴达军
,
何世明
,
刘兴钊
,
李言荣
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.010
采用脉冲激光沉积(PLD)法在(001)MgO基片上制备出高质量的SrTiO3(STO)薄膜,构建了Au/STO/MgO结构的叉指电容.在77K、10KHz条件下,对叉指电容的特性进行了测试,结果表明:在40kV/cm的直流电场作用下,电容值从1.75 pF减小为1.25 pF,电容值的相对变化率为28.5%.在此基础上,根据多层介质叉指电容保角变换模型.定量计算和仿真了STO薄膜的介电常数和微波频率下叉指电容的性能参数,并由此设计了一个三阶带通滤波器,该滤波器可实现13.50%的中心频率移动.
关键词:
STO
,
薄膜
,
介电性质
,
叉指电容
,
滤波器
