王连洲
,
施剑林
,
禹剑
,
阮美玲
,
严东生
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.008
在室温碱性条件下合成了Ti掺杂的介孔硅材料MCM-41,借助XRD、IR、HREM和N2吸附等分析手段, 探讨了Ti掺杂量对介孔材料结构和性能的影响. 结果表明: 掺杂的Ti离子可以进入Si骨架,并生成Si-O-Ti键. 随着Ti掺杂量的增加,六方规则排列的介孔硅结构有序度下降,最终可导致结构一致性的破坏.
关键词:
介孔硅材料
,
Ti掺杂
,
介孔结构