李阳平
,
陈海波
,
刘正堂
,
武倩
,
郑倩
,
张淼
,
徐启远
材料科学与工艺
为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面，提高其高宽比，用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术，以SF6和02为反应气体，在Ge衬底上制备了二维亚波长结构，用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察，研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响，结果表明：刻蚀图形腰部被优先刻蚀，形成凹陷的侧壁轮廓；02流量增大有利于在侧壁形成保护层，从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀；功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大；方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构。
关键词:
锗
,
光刻
,
反应离子刻蚀
,
亚波长结构
,
掩模
