陆翠敏
,
孙清池
,
孙琳
,
徐明霞
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.01.008
采用二次合成工艺制备PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷.研究准同型相界组成点处铈掺杂对压电陶瓷介、压电性能影响.结果发现随着CeO2的添加,介电常数增加,居里温度降低;压电常数增加;机械品质因数和机电耦合系数下降;铈掺杂在强场下对该系统介电性能的影响基本上和弱场下的变化趋势相近,随着外加场强的增加,介电常数和介电损耗增加.
关键词:
二次合成
,
五元系压电陶瓷
,
准同型相界
,
铈掺杂
,
介、压电性能
