梁小蕊
,
王刚
,
江炎兰
,
赵波
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.04.017
采用密度泛函理论(DFT)B3LYP/6-31G方法,对设计的6个不同位置取代氨基的香豆素衍生物的几何构型进行优化.在所得优化结构基础上对这些分子的稳态二阶NLO系数β值进行计算分析,并采用含时密度泛函理论(TD-DFT)方法计算了其电子性质,研究了取代位置对香豆素类衍生物分子的二阶NLO性质的影响规律.结果表明:当氨基取代在4号位时香豆素分子中的羰基表现出供电性,对分子内电荷转移非常不利,不利于提高分子的β值；当氨基取代在3、5、6、7、8位时分子中的羰基表现出吸电性,使分子形成D-r-A构型,并且氨基在3、7位的取代能够扩大体系的共轭范围,有效增加了香豆素分子的βtot值.
关键词:
非线性光学
,
二阶非线性效应
,
密度泛函
,
香豆素
,
取代位置
